如何直观地分析器件沟调效应相关问题学习心得

alvays · 发表于 2010-3-29 10:35:52

如果我上面的理解没错的话  下面说说我的疑问
1.能否在器件的DS之间并联其他电阻以改变器件的沟调效应等效电阻  这样做有意义么
2.假设NMOS饱和状态沟道夹断  如果固定住D和S端电位  只改变G端电位这样不是在V ...
wlw851012 发表于 2009-12-31 22:44

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HI, wlw85102

你的想法很有意思，Ido+Ido*lamda*Vds。虽然ro的推导就是这样，但是从另一个角度看还是有不一样的感觉。

我来尝试回答你的问题吧
1.可以加，实际上这样做就是改变了MOS管的输出电阻。我局限的眼界里没有看到有意义的地方。
2. 如果D和S电位固定，只改变Vgs，相当于改变了电离层的厚度，等效电荷总量改变，就是你所说的三角形的底边。电离层厚度减小，使斜边抬升，于是看上去沟道有效长度减小了
3. 如果你G端固定，反相改变D和S，是可能出现有效沟道长度不变，即电流总体不变。这可以从Ids~Vds曲线上看出，相对于不同Vgs值的Ids~Vds曲线，如果划一条Ids=constant的水平线，我猜想这条线就是这种情况下的结果。

Alvays

wlw851012 · 发表于 2010-4-7 02:34:05

Alvays  你好  首先非常感谢你的回帖此贴沉了很久谢谢你的关注
你的回复我有点小疑问望能继续讨论
2.你说 “电离层厚度减小，使斜边抬升，于是看上去沟道有效长度减小了” 应该是电离层厚度减小斜边下降吧  而且变换后的三角形应该和变化前为相似三角形
3.你说 “是可能出现有效沟道长度不变，即电流总体不变” 有效沟道长度是不变但三角形的底边发生了变化啊  电流怎么会保持恒定呢

其实我最大的疑问是书上 “在公式后面乘了（1+λVds）以作修正” 的方法的适用范围  我提出两种假设的目的就是想说明  VDS的变化和有效沟道长度是可以没有直接关系的

再次给些你的回帖与解答祝一切顺利！

alvays · 发表于 2010-4-7 15:15:44

HI, wlw85102

忘记原来怎么想的了。在我的理解中，增加VGS，会导致反型层增厚，从而增加导电电荷浓度，从而增加电流。

饱和时增加VDS，会增大夹断区电场强度，从而增大电荷运动速度，uE，从而增加电流。

ALVAYS

wlw851012 · 发表于 2010-4-8 14:17:50

13# alvays

你好 ALVAYS  你的理解非常准确你说的是物理本质而我的用三角形法来使之更形象些  现在我思考的问题是
饱和状态下的NMOS管
情况1：若将信号vds完全从D端输入  即S端交流接地  此时D端信号会使有效沟道长度变化
情况2：我如果在D和S分别加2个反向变换的信号vds的一半  对于管子而言  所加到它身上的信号总量vds仍然和情况1一致  但器件内部的载流子形状却不一样  那么拉扎维提出的公式和模型是否同样也适用呢

luochunhua · 发表于 2010-4-8 21:03:42

不错，很有潜力学习啊，很聪明。

wlw851012 · 发表于 2010-4-9 17:31:14

15# luochunhua
哈哈谢谢鼓励俺胡思乱想的有啥见解不妨提出来讨论讨论

inf · 发表于 2011-7-9 00:51:49

所以对于沟调效应来说应该有个对比的样本我认为临界饱和状态时的NMOS就是样本如果再加大Vd就使管子进入沟 ...
wlw851012 发表于 2009-12-31 22:29

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所谓的静沟，为什么不用vds/Id啊 ??

persempre · 发表于 2011-7-9 02:02:15

好厉害啊。不过如果研究BSIM3模型会不会好一点

yoga · 发表于 2011-7-9 07:23:28

路过……

wlw851012 · 发表于 2011-7-10 18:34:00

回复 18# persempre

你好谢谢关注我的帖子我觉得按照书上的讨论来建模来理解就好引入新的模型可能又需要新的计算和思路考虑得又是另外一回事啦

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