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请问在ldo设计中5v输入电压3.3v的管子,电路如何设计

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发表于 2009-11-25 16:29:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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芯片中用到一个ldo,设计是在0.18um下,但是要求5v的输入电压,产生3.3v/1.8v的输出,对于0.18um下只有最高电压是3.3v的管子,请问如何设计???
发表于 2009-11-25 17:09:04 | 显示全部楼层
本帖最后由 xwlpxc 于 2009-11-25 17:10 编辑

3.3v的管子并非最高电压3.3V。3.3是标称工作电压。
在5V下面可以工作
发表于 2009-11-25 17:17:56 | 显示全部楼层
这么做并不一定安全,老化可能会有问题。
可以用一些cascode结构,保证每个管子静态都在3V的范围之内。
 楼主| 发表于 2009-11-25 17:26:45 | 显示全部楼层
请问兄弟如何做cascode,在功率管上做cascode,dropout电压是不是太大?
 楼主| 发表于 2009-11-25 17:30:07 | 显示全部楼层
xwlpxc 兄:
   把L做大一些,是可以直接在5v下工作,但是不太保险,还有steve_guo_1997 兄说的老化问题,能不能从电路结构上对其进行设计呢?
发表于 2009-11-25 18:27:52 | 显示全部楼层
这个问题夸张了啊。
.13的本征击穿电压是3.3V没错,但是可以通过增加栅养厚度来提高击穿电压的上限。一般情况下这样的工艺是提供5V MOS管的model和设计规则的,楼主好好找找。
发表于 2009-11-25 19:24:14 | 显示全部楼层
好好查看工艺文档,耐压范围要清楚

仿真时打开device check,注意warnning有没有报电压范围超出
发表于 2009-11-25 20:03:27 | 显示全部楼层
3.3V的管子耐压就是5V左右,5V的管子耐压是8V左右。所以看Model是看不出来的
发表于 2009-11-25 20:26:55 | 显示全部楼层
3.3v的PROCESS用5V有风险,最主要是寿命问题啦.还是谨慎一点,FOUNDRY不会承担责任的,真有问题的话就要自己抗了
发表于 2009-11-25 20:54:58 | 显示全部楼层
spec可有?
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