运放中偏置电流镜栅极的去耦电容值一般取多大？

bellona · 发表于 2009-11-18 11:05:46

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大家好，请问运放中偏置电流镜栅极的去耦电容值一般取多大合适呢？
我查了一下edaboard有人用了15600平方微米的NMOS管，大概有一百多个pF，板上的人都说他用的太大了，说面积太大难以避免栅极绝缘层的针孔。我不太清楚这个值怎么选，请大家指教，谢谢！

xujun.bupt · 发表于 2009-11-18 11:19:30

好像是有点大，呼唤大牛出来给讲讲

steve_guo_1997 · 发表于 2009-11-18 12:08:45

这个一般都是剩下的空间都填电容吧

christ0426 · 发表于 2009-11-18 13:31:43

同上，一般都是用最后的剩余面积来补上电容的。要看你的信号频率是多少了！

模头 · 发表于 2009-11-18 13:38:07

集成电路还是分立器件啊
集成电路里面怎么可能用这么大的电容啊

模头 · 发表于 2009-11-18 13:40:08

5# 模头

总去耦电容才几十pf，一个栅偏置就要这么多
那你芯片得多大

calven · 发表于 2009-11-22 18:13:15

这个不用这么大吧

fancy17 · 发表于 2009-11-22 21:16:31

主要看你的芯片面积。要拿剩下的芯片面积来做电容。如果剩下的不多就要重其他方面考虑从而减少电容值

tbird688 · 发表于 2009-11-23 15:14:20

这个芯片生产出来能卖得出去吗？

大大山 · 发表于 2009-11-23 22:37:28

9# tbird688
看你对电流精度的要求

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