OSC休调的矛盾

albtfoler123

OSC结构为电流源对电容充电,然后经比较器的形式.要求频率精度为10%,可使用休调,请问:
对于corner的影响,是可以休调的;但是对于温度的影响,由于我用的是MOS电容,温度对电容的影响有20%.而在休调的时候,又通常是在室温下进行休调的.这里就存在一个矛盾,请问如何解决?

rainhans

这个是很典型的结构，电容充放电片上OSC。
表面上输出freq正比于Iref/C
温度变化会影响至少3个东西，1是充电电流会随温度变化，2是电容会变化，3是比较器延时时间也会随工艺coner和温度变化，最终使得输出频率变化。
这种电路想要使得输出频率变化在<10%，就是+-5%,不修正，基本不可能。
有一种办法，先流片，批量测得OSC是正或负温度系数，然后通过修正Iref的温度系数，来补偿，可能可以达到。

ckseu

Do you think it is possible to use RC OSC
and Rpoly be negitive TC and Rwell is positive TC

steve_guo_1997

It's difficult.
Maybe chaging to PIP and an accurate current source

tjjbraye

学习一下，不知道有没有什么好的结构