请教关于hvmos的问题

rengd02 · 发表于 2009-10-21 12:37:12

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hvmos有asymmetric和symmetric，工艺文件里面说asymmetric的漏极可以接高电位，symmetric的漏源都可以接高电位；这里的意思是不是说如果做得是buck型的电源就要用到asymmetric，如果是boost就要用到symmetric？
另外还有isoltaed和non-isolated的区别；这里有什么差异？

jiangyanjin · 发表于 2009-10-21 21:03:04

同问知道的大哥大姐帮帮忙吧

alex.g.y.zhou · 发表于 2009-10-22 10:59:09

这个看具体的环境吧，不是说buck或boost就非得用哪一种cell
isoltaed的管子和对称的drain,source耐压差不多，但好像isolated的vth要小一些。
对Vgs的耐压要看是否是厚栅即可。

atlas · 发表于 2009-10-25 13:07:41

需要看看具体的结构，才能下结论吧。不同的工艺，结构不一样的

自找苦吃YNHE · 发表于 2009-10-26 12:32:22

好！

jiangyanjin · 发表于 2009-10-26 14:09:01

学习了

jeff_zx · 发表于 2009-10-30 17:40:22

请问这是哪家的工艺！？

ksg12 · 发表于 2013-4-10 11:22:52

一看就是新加坡人的

silverpuma · 发表于 2013-4-10 16:17:40

回复 1# rengd02

asy 非对称，源端到衬底不能耐高压，所以衬底只能接源。sy对称，源端到衬底可以耐高压，所以衬底可以接源也可以不接源。

iso隔离，一般是对NMOS，就是衬底可以接任意电位。
no-iso，一般也是NMOS，衬底必须接GND

天涯123 · 发表于 2014-2-13 10:56:27

刚开始了解HV工艺，正在学习


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