请教关于hvmos的问题

andy2000a

0.5um 40 DMOS process ??

asyn  => DRAIN 耐高壓
  但SOURCE 和BULK間是低壓 , area 比較小

syn 兩端都能耐

syn hvmos , iso_Nmos 都會比 an 大很多, 還有 VANGUARD 700v process
會讓本來 40v nmos => BV 36v ..最慘的是 isonmos 耐壓掉到 27v ,
一般 FLTBACK都會使用 ISO NMOS + Zener 做 gate clamp , 但是 700V 確因為
ISO NMOS 耐壓不夠會麻煩 ..

LDMOS 則是有分
high side Nmos
Low side NMOS
一般 LDMOS  Rds 比 DMOS 小且 Lmin 比較小那像 40v/5v  HV MOS
Lmin =3um  超大的 ..
好處 gate 耐高壓到 40v ..可以處理INPUT 是高壓信號 (MV 一般 MV   12~60v )

LDMOS 只有 5v 耐壓要擋高壓要串 Ldnmos 靠 drain 擋, 但這樣無法處理INPUT 是高壓信號
還得分壓 ..

700V UHV process 有人熟嗎?

gravediggaz

9楼正解。

simonjin

跟buck/boost没关系，如果source接地，如buck M2就可以用asymmetric，如果一边连高电位，一边是脉冲电位，就用symmetrical就可以了