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mos开关中的电荷注入和电荷馈通效应都是指在开关关断时的效应吗?

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发表于 2009-10-10 15:41:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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mos开关中的电荷注入和电荷馈通效应都指的是在开关关断时的效应吗?
那开关闭合时没有这些效应吗
发表于 2009-10-11 12:36:19 | 显示全部楼层
Charge injection (电荷注入?)通常是指在开关关断时的效应;但clock feedthrough(电荷馈通效应?)并非只发生在开关关断时,只要删极(gate)电压发生变化,都会引起或多或少的clock feedthrough.对不起,不知中文翻译有没有对上号.
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发表于 2009-10-13 21:28:58 | 显示全部楼层
应该是开关开通和关断都有的。
只要gate电压发生变化,都该有对应的时钟馈通
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发表于 2012-10-1 12:12:29 | 显示全部楼层
有相关资料吗?
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发表于 2012-10-1 22:24:20 | 显示全部楼层
本帖最后由 远上寒杉 于 2012-10-1 22:25 编辑

电荷注入发生在开关关断瞬间,是由于关断时沟道内的电荷需要散掉才能是沟道真正消失,然后才能进入截止状态;
时钟馈通是由栅极与漏源区的交叠电容引起的,栅极时钟电压的变化耦合到了源漏端。

参考资料:《高等模拟集成电路》 P.55
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楼上居然挖出了三年前的帖子,佩服佩服!
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发表于 2012-10-9 02:00:28 | 显示全部楼层
栅极存放电时,都有沟道电荷改变,从所连接节点吸走电荷或注入电荷,都属于电荷注入效应。。。所有相关问题都是从这里引出的。
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发表于 2015-9-2 08:53:57 | 显示全部楼层
怎么消除影响!!
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发表于 2015-9-2 10:05:08 | 显示全部楼层
开关闭合后,注入的电荷会流向低阻抗点,不会积累在电容上,因此不会造成影响。但断开时电荷会被“孤立”在电容上,所以会改变电容上的电压,进而对电路性能造成影响。

点评

请教下,书上说会对NMOS的输出电压产生一个负跳变。开关断开,电荷流进CH电容,不应该电压正跳变吗?  发表于 2025-6-12 11:57
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发表于 2015-10-21 11:10:03 | 显示全部楼层
感谢分享,谢谢啦
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发表于 2015-12-13 21:24:11 | 显示全部楼层
从前看到尾,没有再看到几年前发帖回帖人的消息。自己解决了问题,就不再关心后人能不能解决相应的问题了。如果我们都能够做到乐于帮助别人,而不是只会从别人那里寻得帮助,我们整体的水平乃至国内的发展水平会不会有所上升呢?
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