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楼主: beyonce

扩散电阻,多晶电阻,金属电阻和阱电阻的区别是什么?

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发表于 2009-9-16 15:35:31 | 显示全部楼层

sdsd

这个应该不难吧
发表于 2009-9-19 01:54:46 | 显示全部楼层
看看,,,,,,
发表于 2009-9-23 00:47:31 | 显示全部楼层
谢谢谢谢谢谢
发表于 2009-9-23 01:11:08 | 显示全部楼层
谢谢啦啦
发表于 2009-9-23 07:33:43 | 显示全部楼层
通常来说,我觉得最好不要用扩他散和阱电阻,他们实际测试的结果通常比较差,比较好的是多晶电阻和金属电阻,虽然他们也有固有的缺点。所以最好就是能根据你的需求来选择。如果做vref的话,最好还是选择比较准的,rsh比较大的,温度系数比较低的比较好。
发表于 2009-9-23 12:51:25 | 显示全部楼层
取决于你对电阻精度的要求,面积的要求(或者说cost的要求),温度特性的要求,在有些情况下寄生的因素也要考虑到,比如r string dac 等。
发表于 2009-11-9 14:32:44 | 显示全部楼层
剛下了...看看先...非常感謝
发表于 2009-11-9 15:18:38 | 显示全部楼层
扩散电阻有扩散电阻的好处,虽然他的精度很差,匹配一般。线性度也不是一般的差
但是它输出噪声确实相当的小  哈哈
各种原因 可以由他的结构得知
发表于 2010-2-3 15:47:32 | 显示全部楼层
tks 4 sharing
发表于 2010-2-3 20:03:55 | 显示全部楼层
多晶电阻的温度系数比较小
金属电阻一般方块值比较小
井电阻比较大一些,还比较不准吧
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