LDO带周期变化电流负载的振荡问题

xwlpxc

原帖由 rfic08 于 2009-8-27 12:17 发表

                               
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如果诚如你所说的，加LDO仿真VCO比单仿VCO相噪恶化20dB，那么看一下噪声贡献是不是主要来自于LDO？如果是，那就表明是LDO引入的噪声，通过交叉耦合管源极到输出波形的AM-PM转换所致，如果LDO输出噪声很低，那你的 ...

你好 在LDO VCO联合系统里面，我通过noise仿真【设置input noise为LDO供电电源，output noise为vco的输出】，查看noise summary，发现排在前面的大部分的噪声都来自
LDO。  这是否就是恶化VCO噪声的原因呢？
可是我看SCI上说LDO对phase noise的影响小于0.2DBC/HZ 几乎可以忽略不计。

xwlpxc

另外 通过pss pnoise仿真也可以查看noise summary，这和上面的noise summary 有很大差别，但是表明主要的贡献还是来自LDO内部的管子。
应该怎么处理呢？

kool

原帖由 xwlpxc 于 2009-8-27 15:32 发表

                               
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另外 通过pss pnoise仿真也可以查看noise summary，这和上面的noise summary 有很大差别，但是表明主要的贡献还是来自LDO内部的管子。应该怎么处理呢？

这种LDO用在VCO中合适吗？你说的恶化噪声主要是在频偏多大范围呢？VCO的LDO必须做成Low Noise，所以它的功耗以及尺寸都不能太小。对于LDO来说，它的输出噪声直接加在了VCO的电流源上，所以它对VCO的噪声影响类似尾电流源对VCO的噪声影响，所以flicker noise和二次谐波附近的噪声都会恶化VCO的相噪声。
所以首先要减小LDO的噪声，一般VCO的LDO中都有大电容滤掉噪声，然后减小VCO的Kvco值，以减小LDO的flicker noise影响。

Genny

原帖由 xwlpxc 于 2009-8-27 09:14 发表

                               
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LDO本身的输出噪声不会对VCO产生很大的影响，SCI有人证明在0.2DB以内。虽然我这个是全集成capacitor-less LDO, 我还是加了输出大电容做了尝试，在保持裕度的前提下，phase noise同样下降了20DB

你在LDO的输出加了大电容，仿真相噪还是没有改善，这个说不过去啊？
另外你的LDO的输出噪声做到多少呢？

kool

原帖由 Genny 于 2009-8-27 18:21 发表

                               
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你在LDO的输出加了大电容，仿真相噪还是没有改善，这个说不过去啊？另外你的LDO的输出噪声做到多少呢？

我估计是LDO中flicker noise的影响。

Genny

原帖由 kool 于 2009-8-27 18:44 发表

                               
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我估计是LDO中flicker noise的影响。

嗯，flicker noise很难滤除，会通过AM-PM上变频到载波附近形成close-in phase noise
可以试着把大电容继续加大，看看大到多少相噪才会有改善？

rfic08

原帖由 kool 于 2009-8-27 17:51 发表

                               
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这种LDO用在VCO中合适吗？你说的恶化噪声主要是在频偏多大范围呢？VCO的LDO必须做成Low Noise，所以它的功耗以及尺寸都不能太小。对于LDO来说，它的输出噪声直接加在了VCO的电流源上，所以它对VCO的噪声影响类似 ...

正解。对于同样的kv，AM-PM的增益会随着频率的升高而增大，比如对于50MHz/v的kv，频率在2.4GHz，你的ldo的noise要在-155dB以下，噪底要在-170以下，否则我估计会在整个offset内都对vco噪声有很大影响。

当然，你可以用很大的电容滤波，要超大的，比如1000uF，这会滤除ldo输出noise在-200dB以下，但是AM-PM增益不会变。只是噪声下去了，贡献自然就下去了

xwlpxc

非常感谢genny 和kool rfic08我回头再调试调试，再来汇报 请你们指点

xwlpxc

原帖由 Genny 于 2009-8-27 18:21 发表

                               
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你在LDO的输出加了大电容，仿真相噪还是没有改善，这个说不过去啊？另外你的LDO的输出噪声做到多少呢？

单独仿真LDO的输出噪声是  38 u V rms @22---22Khz 最大量的贡献来自MOS管。 我加大MOS WL值，这一噪声明显下降，不过带上vco后，phase noise也没有什么提高。

单独仿真LDO的输出噪声是 100.89 u V rms @10---1Mhz 最大量的贡献来自60K 100K 的两个LDO电阻，这一电阻就不好改变了。

[ 本帖最后由 xwlpxc 于 2009-8-28 09:58 编辑 ]

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