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请大牛指导下,关于运放失调仿真问题

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发表于 2009-8-22 17:34:17 | 显示全部楼层 |阅读模式

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有个小运放应用了失调消除技术,不过前仿都是理想情况肯定也没啥失调的。
如果我想看看效果,对失调量应该怎么处理?人为的对MOS尺寸,负载稍做修改感觉没啥意义。跟工艺库有关?
希望大牛能指导一下。谢谢~~
发表于 2009-8-22 17:49:03 | 显示全部楼层
应该需要用monte carlo仿真了。不过没做过。
发表于 2009-8-22 18:06:27 | 显示全部楼层
你可以将输入差分对MOS管的W和L进行人为的少许变化,比如+或者-0.05u
发表于 2009-8-22 22:52:15 | 显示全部楼层
为什么人为修改没意义呢?Monte Carlo   spice model只是把mismatch做个高斯分布而已,
你自己做个可能的最大mismatch不是更好吗?
发表于 2009-8-23 03:29:50 | 显示全部楼层


原帖由 huhuh 于 2009-8-22 22:52 发表
为什么人为修改没意义呢?Monte Carlo   spice model只是把mismatch做个高斯分布而已,
你自己做个可能的最大mismatch不是更好吗?



人为修改,你知道该改多少么?
最后还是要看工艺
 楼主| 发表于 2009-8-23 10:23:13 | 显示全部楼层
我也听说过monte carlo。不过听前辈说貌似SMIC不支持这个,人为的改,要改的东西太多了。。单一的改意义也不大吧。
发表于 2009-8-26 22:43:59 | 显示全部楼层
xuexi
tksff
发表于 2009-8-27 11:04:14 | 显示全部楼层


原帖由 vdslafe 于 2009-8-23 03:29 发表 人为修改,你知道该改多少么?最后还是要看工艺



就按照工艺中最大的mis match 来仿就可以了,10%,20%自己设一下
mento calo仿运放的失调电压也是这个道理 只不过按照概率分布来得到结果
简单的说  最大的失配都符合要求了 其他的当然都符合了
发表于 2009-8-27 12:43:36 | 显示全部楼层
简单的修改输入对管的尺寸确实可以收到一定的效果,但是就我看过的关于monte仿真通常不是这么做的,他会在电路节点上设置一些理想电流源,这样来模拟管子失配。
发表于 2010-8-17 17:00:57 | 显示全部楼层
这个问题太高深了。。学习一下!!!
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