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楼主: zlh95222

关于resurf ldmos

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发表于 2010-6-14 09:15:30 | 显示全部楼层
thanks for all your information, expect further more knowledge
发表于 2010-7-6 14:28:21 | 显示全部楼层
changshi xuexi
发表于 2010-7-28 19:05:29 | 显示全部楼层
resurf and field plate paper

有一說 resurf 或 double resurf 可拉高 breakdown 但是 會增加 rds on

另個是 使用 field plate 方式

不過 現在 超高壓好像 patents很多
不知道那個方式可以 mask 比較少
還能做到 低 rds on  超高壓

目前 resurf 好像比較多人使用 那 super junction ?

upload  一些paper

100v LDnmos.rar

714.84 KB, 下载次数: 52 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

hi voltage RESURF LDMOS IC 1989.rar

1012.46 KB, 下载次数: 46 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

hiv model.rar

642.38 KB, 下载次数: 29 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2011-1-11 14:23:55 | 显示全部楼层
发表于 2011-5-23 19:54:53 | 显示全部楼层
回复 6# jeff_zx


    大侠,你以前是哪个学校的,留个联系,以后请教您啊
发表于 2017-12-12 13:50:25 | 显示全部楼层
非常感谢
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