关于resurf ldmos

zlh95222 · 发表于 2009-8-22 11:22:48

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论坛的各位大虾。最近在搞resurf ldmos，希望论坛里的各位大虾提供一些资料或者设计思路（主要是650v-750左右）。不知道是否有人搞过？谢谢！

jeff_zx · 发表于 2009-8-22 17:48:38

这东西我在学校的时候玩过，基本上medici+tsuprem4的仿真结果蛮准确的，流片和仿真在击穿电压上差不多的，结构什么的应该都很成熟了，主要看你的外延层去多厚，衬底的掺杂浓度怎么取。

zlh95222 · 发表于 2009-8-23 11:54:46

我想外延层厚度7.5微米左右，电阻率15欧姆左右。就是从来没有玩过，先画个单管试试！

jeff_zx · 发表于 2009-8-24 00:39:48

恩，这个厚度还算好了，加个场版之类的，不难做的，就看你Ron要求了，double resurf要好做一些，电场更容易均匀，仿真的时候一定要注意是否全耗尽，只要耗尽了，衬底够厚，BV不是什么问题。你是要做产品还是学生？

zlh95222 · 发表于 2009-8-24 08:16:51

我是要想做产品，我之前是搞工艺的（power mos)，目前转行做设计，因此，老板让我做bcd中的ldmos这一块。从来都没有接触过，所以来这个论坛问问.

jeff_zx · 发表于 2009-8-24 10:01:06

原帖由 zlh95222 于 2009-8-24 08:16 发表

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我是要想做产品，我之前是搞工艺的（power mos)，目前转行做设计，因此，老板让我做bcd中的ldmos这一块。从来都没有接触过，所以来这个论坛问问.

不错，那你是在foundry工作了？
单做一个Ldmos不难，1200V都很简单
但要开发一个600V的成熟BCD工艺，很难

zlh95222 · 发表于 2009-8-24 11:42:18

我是在代工线工作，我查了些资料，单管容易，但是要集成在一起，就很不容易了！请问这位坛友友做过这方面吗？

jeff_zx · 发表于 2009-8-24 11:50:30

呵呵，我在学校的时候做的，一颗HVIC，600V，结果还好，但完全是学术性了，离量产差太远了。

zlh95222 · 发表于 2009-8-24 12:52:28

反正先尝试一下单管，积累一点经验。摸着石子过河吧！

xwcwc1234 · 发表于 2010-1-23 21:35:27

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