为什么PMOS的ESD表现要比NMOS好呢？

mycelldevice · 发表于 2010-6-11 14:44:06

我个人认为不同的ESD模式不同的I/O有不同的选择吧，
通常NMOS 要好于PMOS，主要是用的break down mode, 但是如果I/O功能不一样，那么也有差别。

beatlin · 发表于 2010-10-8 21:38:59

如果论保护的级别貌似NMOS好一些，但是PMOS的holding voltage高，这个似乎要更好一些吧～

tiancai2008 · 发表于 2010-10-12 17:18:22

楼主的意思可能是，在同一个chip中，被ESD damage的管子，NMOS要比PMOS多些，也就是PMOS的耐ESD能力要比NMOS强一些，这是一个普遍现象。但是作为ESD管子而言，NMOS的保护能力要比PMOS强这是事实，因为NMOS和PMOS的一些物理特性不一样导致的。

zuohaiyang2009 · 发表于 2010-10-16 19:06:58

2楼回答的有些道理，我同意

zhifj86 · 发表于 2010-11-8 22:04:28

在65nm工艺时，NMOS漏电过大，所以用POMS

jinjin0412 · 发表于 2011-1-2 18:24:04

NMOS有snap back，PMOS没有，何谈PMOS比NMOS好？。。。

lihaiqi208 · 发表于 2011-1-2 18:29:53

一般都是GGNMOS或GCNMOS或二极管很少见Pmos

zealotyao · 发表于 2011-1-2 22:42:35

for ESD protection device Nmos is better, but Pmos has advantage of high hold voltage

huhu_zsu · 发表于 2011-1-3 05:13:30

一般来讲，NMOS的trigger and Holding 电压都比PMOS 低，一个原因就是电子的mobility比空穴的大。
ESD 保护用NMOS, 较低的trigger和holding比较重要。
用PMOS做保护也有见过。不多。有些是结合SCR一起设计的。

qdsoftware · 发表于 2013-9-3 16:20:48

一般是NMOS的ESD保护器件能力比PMOS强，但作为被保护器件，一般PMOS更不容易坏（相对于NMOS）
minahua 发表于 2009-12-7 14:43

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