为什么PMOS的ESD表现要比NMOS好呢？

sillier · 发表于 2009-8-3 10:51:11

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做相同的尺寸，相同的layout type。
谁能解释下

xiayixue198402 · 发表于 2009-8-3 11:13:35

PMOS管沟道里流动的是空穴，外部电压突然很大的话，空穴的反应速度估计也没这么快，倒是电子会快速运动，产生大量的电子-空穴对，似乎就容易发生复合（相对NMOS），无形中耐压效果就上去了。而NMOS由于本来就有大量的电子流动，如外部突然大电压，电子相对PMOS容易产生雪崩，管子耐压效果不就下来了吗？
这纯粹的属于主观理解，呵呵：不对的话，还请指正。

liu258412 · 发表于 2009-8-3 16:08:51

这个问题本身就有问题

jeff_zx · 发表于 2009-8-3 16:19:16

先说说你是什么工艺吧
silicide还是polycide，ESD有没有silicide block
问题的本身有问题，很难想象常规下，PMOS的ESD特性好于NMOS

minahua · 发表于 2009-12-7 14:43:07

一般是NMOS的ESD保护器件能力比PMOS强，但作为被保护器件，一般PMOS更不容易坏（相对于NMOS）

forever6269 · 发表于 2009-12-9 19:59:14

说得很好，很多人都是大炮打蚊子的。做电路不仅仅是要把性能做出来，还要看花多少功耗，多少面积做出来。
对于AD/DA来说，3dB性能等效于两倍功耗，两倍面积的思想是很基本，但是也很重要的。同样功耗和面积，相差5个db的性能，那么两个设计者的水平就不是在一个级别的。

andyjackcao · 发表于 2009-12-9 20:07:04

做相同的尺寸，相同的layout type。
谁能解释下
sillier 发表于 2009/8/3 10:51

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能告诉下以下问题吗?
1),是哪个工艺吗,是否成熟
2),测试方法
3),PMOS的VB值,NMOS的VB值

L_ju · 发表于 2010-3-31 12:40:37

楼主说反了啊.....

liuyuqing_xyz · 发表于 2010-6-10 19:23:54

你说的反了 NMOS肯定比PMOS效果好

sqnnzhu · 发表于 2010-6-11 01:26:59

11# liuyuqing_xyz
为什么呢能不能解释下谢谢

为什么PMOS的ESD表现要比NMOS好呢？

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