设为首页收藏本站
在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

手机号码，快捷登录

手机号码，快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
创芯云服务  : 创芯大讲堂  | 创芯人才网 | 数字IC职业培训  EETOP诚邀线上IC培训讲师!
搜帖子
EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 关于MOS电容工作在积累区（对于NMOS的话，就是栅压相对 ...
123
返回列表 发新帖
楼主: timesmile

关于MOS电容工作在积累区（对于NMOS的话，就是栅压相对于背栅为负）

[复制链接]
mismatch24
发表于 2018-7-17 09:08:36 | 显示全部楼层
66666666666666
回复 支持 反对

举报

yuwenjuan
发表于 2018-8-27 17:17:55 | 显示全部楼层
楼主，可以加下好友，请教你一下吗？
EETOP创芯人才网职位发布入口
回复 支持 反对

举报

SEU—arrow
发表于 2018-12-21 10:23:42 | 显示全部楼层
学习啦，哈哈~
回复 支持 反对

举报

yangptzn
发表于 2019-4-2 14:48:50 | 显示全部楼层
MOS电容大小受栅压影响比较大, 用在PLL的LPF中, 如果没有auto trimming的话, Vcontrol随conner变化很大,很难保证滤波效果吧
EETOP创芯人才网职位发布入口
回复 支持 反对

举报

123
返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-23 11:30 , Processed in 0.014712 second(s), 5 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表