关于MOS电容工作在积累区（对于NMOS的话，就是栅压相对于背栅为负）

timesmile · 发表于 2009-7-9 18:41:09

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NMOS电容栅衬电压正偏的话，其电容值该MOS管在未构成强反型的时候会存在电压调制效应，容值改变较大，因此我想让其工作在积累区

即对于NMOS的话，当栅压相对于背栅为负时，体硅中的多数载流子就会被向上抽取并积累在栅氧化层下面，从而使电容工作在积累区
对于PMOS的话，就是栅衬电压为正

我现在想使用PMOS做电容，让其S、D、B三端接gnd，栅极接我需要偏置的电位，请问这种方法可行吗使用这种方法有没有什么限制，PLL中CP后的环路滤波器可以使用这种电容吗
如果PLL中环路滤波不能应用的话，那给稳定的共模偏置滤波可以使用吗
谢谢！

timesmile · 发表于 2009-7-10 16:44:28

自己顶一下，没人这样用过吗

timesmile · 发表于 2009-7-12 21:05:37

嗯继续顶大家一般是怎么使用mos电容的做什么用途？

ives · 发表于 2009-7-12 21:56:58

我没有实际的经验，只好奉上一点资料，希望有用。
来源于版图艺术一书，见附件。第二页的内容基本重复，所以只截了一页。

timesmile · 发表于 2009-7-13 20:30:10

原帖由 ives 于 2009-7-12 21:56 发表

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我没有实际的经验，只好奉上一点资料，希望有用。
来源于版图艺术一书，见附件。第二页的内容基本重复，所以只截了一页。

谢谢，我也是看了版图艺术才知道有电容工作在积累区这个说法
就是不知道实际使用上有什么限制

ives · 发表于 2009-7-13 22:35:00

再顶一下吧。个人感觉不存在问题，但慎重起见，还是要等有经验的人回答一下。

timesmile · 发表于 2009-7-14 23:10:34

原帖由 ives 于 2009-7-13 22:35 发表

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再顶一下吧。个人感觉不存在问题，但慎重起见，还是要等有经验的人回答一下。

是啊，谢谢帮顶：）

血徒 · 发表于 2010-1-8 08:42:48

4楼很详细，谢谢分享

semico_ljj · 发表于 2010-1-8 15:17:55

可以这样使用的1

chenxinweihai · 发表于 2010-1-8 15:38:58

MOS电容要是有那么准还开发PIP或者MIP电容干啥?浪费...

关于MOS电容工作在积累区（对于NMOS的话，就是栅压相对于背栅为负）

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