nmos比pmos噪声大100倍

thefifaman

根据bsim3V3模型定义
1/f噪声：FNOISE=Kf (Ids^Af) / (Cox (Leff^2) (f^Ef))
自己设计的电路
Ids=10uA，L=6um
将库文件里提供的Kf、Af和Ef代入后算得
在1KHz处
FNnmos=1.4E-22 V^2/Hz
FNpmos=1.74E-26 V^2/Hz
折算成噪声电压的话，
nmos比pmos大100倍
运放电路仿真的结果也显示噪声基本都是来源于nmos电流镜管，pmos输入对管和pmos电流镜管对噪声贡献可忽略
nmos比pmos大100倍
各位前辈和同学，有没有遇到这种情况?
库文件提供的参数准确吗？这种结果可靠吗？

vdslafe

比例稍微大了一点，基本正常

fuyibin

   

原帖由 thefifaman 于 2009-6-10 14:38 发表

                               
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根据bsim3V3模型定义
1/f噪声：FNOISE=Kf (Ids^Af) / (Cox (Leff^2) (f^Ef))
自己设计的电路
Ids=10uA，L=6um
将库文件里提供的Kf、Af和Ef代入后算得
在1KHz处
FNnmos=1.4E-22 V^2/Hz
FNpmos=1.74E-26  ...

device model中的参数应该有一定依据吧，低频的应该还是比较准的吧
foundry自己做完device后会做参数提取，
flick noise  nmos是pmos的100倍，这道没想到
原来只以为是好几倍数十倍而已
BTW：什么工艺啊？与process也有关系，如果wafer 表面损伤小，晶格完整，1/f noise也会小一些
pmos buried channel 果然不是盖的
不过这只是低频noise，到高频以后，thermal noise占主导后，nmos应该会好一点吧

thefifaman

是0.5um Mixed Signal工艺
没有提供Ids和Leff 的典型值
仿真文件里只给出了这三个参数值

是很奇怪啊，没有想到差这么多

热噪声和1/f噪声
300KHz是拐点

widlarfan

it depends on process.
BTW, In reality it's hard to find the difference of flicker noise of p and n for most of applications.

zrl

没研究过

fehler

热噪声只能跨导相关，偏置相同的情况下，p/n应该是一样的。

   

原帖由 fuyibin 于 2009-6-10 15:56 发表

                               
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device model中的参数应该有一定依据吧，低频的应该还是比较准的吧
foundry自己做完device后会做参数提取，
flick noise  nmos是pmos的100倍，这道没想到
原来只以为是好几倍数十倍而已
BTW：什么工艺啊？与 ...

fuyibin

   

原帖由 fehler 于 2009-6-13 16:24 发表

                               
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热噪声只能跨导相关，偏置相同的情况下，p/n应该是一样的。

相同的bias current， nmos的 gm肯定大么，所以thermal noise会小的