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发表于 2009-5-30 16:38:07
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1 在高频情况下(>1G). 无论负载MOS管(Cdb)和下一级MIXER的输入管(Cgs)等寄生电容对LNA增益都有显著影响(随着PVT 变化),此时最好需要一个电感把它在一定带通范围内tuning 掉.否则很难做到较高的gain和较好的noisefigure,linearity.(针对直接接片内的MIXER)
2 对于输出接50欧姆,也需要形成一个RP=RS*Q^2=50.形成一个匹配,如果直接使用50欧姆电阻的话,一是吃直流headroom, 如果10mA电流,会吃掉500mV, 二是对NF不利,
3 低频情况下,寄生电容不明显,可以使用电阻,形成RC低通网络,-6dB/octave,增益下降会比使用在高频时小的多,唯一注意的是大电流吃余度,同时要针对NF进行优化.另外,使用电阻,版图面积小,大大节省了面积. |
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