关于LDO输出电容的问题

super_gu · 发表于 2009-5-7 10:37:50

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各位大侠，有个关于LDO的问题一直困扰着我。
对于CAP-LESS的LDO，如果我们增加外部的输出电容以提升暂态响应，但是如果增大外部电容的话，会否使LDO得P2（负载极点）低频而导致系统不稳定？
感谢各位大侠给小弟答疑解惑啦。

sillier · 发表于 2009-5-7 10:49:24

我觉得会

tgaayd · 发表于 2009-5-7 11:16:46

LDO需要补偿啊

super_gu · 发表于 2009-5-7 11:24:34

楼上大侠，我说的是CAP-LESS的LDO呀，对于这种LDO，我们需要不需要增加外部大电容？如果负载时容性负载怎么办？

mhf6714701 · 发表于 2009-5-7 12:32:00

你说的问题的确是个trade-off.
对于大的输出负载电容，output voltage variation during the load transient会得到改善，但是同时，因为non-dominant pole一般与gml/Cl成正比，需要补偿好的话，不可避免的需要消耗更大的静态电流
所以，在一般的研究中，一些advanced compensation topologies被应用，如
K N Leung, et al, A Capacitor-Free CMOS Low-Dropout Regulator With Damping-Factor-Control Frequency Compensation, JSSC'2003
S K Lau, et al, A Low-Dropout Regulator for SoCWith Q-Reduction, JSSC'2007
LZ可以找这些文章来读一读。

super_gu · 发表于 2009-5-7 13:40:36

感谢楼上的解惑，我找些文章看看再和大家探讨。

cancan77 · 发表于 2009-11-25 13:42:04

是啊，我也刚明白像DFC等补偿原理都是基于LDO输出级点为次级点的
而off-chip的输出电容则为uf级，为主极点，不能用miller电容等补偿方式。

sea11038 · 发表于 2009-11-28 01:37:09

肯定会这样的，CAPLESS的LDO的负载极点为非主极点，增加电容值会使此极点向低频移动而逐渐接近低频处的主极点，从而不稳定。

kyoabc · 发表于 2009-11-28 21:22:59

确实看看有没有引入一个零点的可能！！

englishwin · 发表于 2009-11-29 00:23:58

capless的比较难做，的确会有这样的问题

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