DC-DC和LDO中功率管为何选用P管？

fengxing9999 · 发表于 2009-4-24 11:49:30

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如题，文章中经常看到的DC-DC和LDO中功率管都选用的是P管。

可是NMOS相比PMOS来说驱动电流能力强。如果用NMOS的话功率管的面积会小很多。

那常用PMOS的原因是什么呢？

zhanweisu27 · 发表于 2009-4-25 08:53:21

if you read some basic paper about LDO

you will found the reason

liusupeng · 发表于 2009-4-26 11:18:06

NMOS can be used also. and it should have better PSRR than using PMOS

xiaxiaomingc1 · 发表于 2009-4-27 16:06:26

哪个说的？N管也可以用的呀

g923964 · 发表于 2009-4-30 17:39:52

nmos have body effect

g923964 · 发表于 2009-4-30 17:41:39

nmos have body effect

analog123 · 发表于 2009-5-2 21:13:05

应该是电压共地的原因吧

lordfire · 发表于 2009-5-3 01:47:29

LDO如果两个管子流过相同的电流, 假设将管子饱和并顶到接近线性区
NMOS的效率=(VIN-VDSAT-VGS)/VIN
PMOS的效率＝（VIN-VDSAT)/VIN

[ 本帖最后由 lordfire 于 2009-5-3 01:48 编辑 ]

yiuyui · 发表于 2009-5-3 22:25:49

1. DROPOUT Voltage P管为Vds(sat) N管一般为Vds+Vgs ,N管对前级驱动也要求较多
2. 和输出管子的组态有关,若使用P管的话为共S组态,有很大的输出阻抗(*一般负载情况下的D端看进去的阻抗);使用N管的话输出阻抗就相对比较小了

lsh0211 · 发表于 2009-5-5 20:23:45

根本原因是 nmos的gate电压比source高vth
如果输出电压(source）较高或者驱动电流要大，就要把gate电压抬高超过vdd！！而pmos的source是vdd，不存在这个问题
在dc-dc应用中，可以使用一个同步的charge-pump把nmos的gate电压抬高到vdd+vgs或者更高,在ldo中这样实现就不现实，所以LDO都是用pmos

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