数字电路教材

sandywh

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T itle  MBE Epitaxial GaAs MESFET - S parameters calculation
#  网格定义
mesh  space.mult=1.0
#
x.mesh loc=0.00 spac=0.3
x.mesh loc=2.3 spac=0.02
x.mesh loc=2.7 spac=0.02
x.mesh loc=5 spac=0.3
#
y .mesh loc=0.00 spac=0.01
y .mesh loc=0.04 spac=0.03
y .mesh loc=0.12 spac=0.02
y .mesh loc=6 spac=1.0
#  区域定义
region num=1 GaAsx.min=0 x.max=5 y .min=0 y .max=0.12
region num=2 GaAsx.min=0 x.max=5 y .min=0.12 y .max=6.12
#电极定义
elec num=1 name=source  x.min=0.0 y .min=0.0 x.max=1.0 y .max=0.0
elec num=2 name=drain  x.min=4.0 y .min=0.0 x.max=5.0 y .max=0.0
elec num=3 name=gate  x.min=2.35 length=0.3
#  掺杂定义
doping region=1 uniform conc=1.0e17 n.type  #  衬底
doping region=2 uniform conc=1.0e15 p.type  #  沟道
#  设置接触、GaAs 迁移率及复合模型、材料特性
contact num=3 work=4.77      #  肖特基接触
models region=1 print conmob fldmob srh optr
models region=2 srh optr

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sky2city

好书................

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angelaboy

不错啊。