求教:如何trimming 一个osc的控制电流，达到较精确的频率啊？

guang3000 · 发表于 2009-2-27 22:40:52

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看了一个晶圆上的osc频率数据，该osc的控制电流是由bandgap提供的1.2v电压和外置电阻产生的，关系是I=VREF/R_ext。
我想一个晶圆上的cornor相差不大，频率误差主要是由mismatch产生的，大概是-5% to 5% 左右，
我想试下通过trimming来使同一外接电阻下

1.不同cornor的不同晶圆上osc的中心频率互相很接近

2.又或每一个芯片都达到精准的频率

想请教下以上两个目标有能通过trimming做到么，这个trimming是在晶圆制造那个步骤和如何做到的呢？trimming之前整个晶圆的顶层metal已经做好了吗？如何取样测试？是整个芯片的顶层metal一起改，还是要制造出来后一个一个芯片（裸片）的改么？谢谢大家！！

jeff205952 · 发表于 2009-2-27 23:25:44

1. 晶圆全做好后, 在测试阶段做 Trim
2. 你要先让 IC 在测试时可以输出频率来跟标准频率比对
3. Current Trimming 在不要求非常精准时可以使用, 晶圆上可以用来做为 Fuse 的可以是 Metal 或是 Poly

guang3000 · 发表于 2009-2-28 08:39:53

原帖由 jeff205952 于 2009-2-27 23:25 发表

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1. 晶圆全做好后, 在测试阶段做 Trim
2. 你要先让 IC 在测试时可以输出频率来跟标准频率比对
3. Current Trimming 在不要求非常精准时可以使用, 晶圆上可以用来做为 Fuse 的可以是 Metal 或是 Poly

谢谢你的指点。你的意思是单个芯片每一个都用不同的trimming, 还是一个晶圆上的芯片都用相同的trimming?

若是单个芯片每一个都用不同的trimming，我相信这样会更加精准，

若是一个晶圆上的芯片都用相同的trimming ，那估计起码有-5% to +5%的误差。

还有这样的trimming代价大吗？一般占芯片成本的百分之几呢？谢谢。

沧海濯缨 · 发表于 2009-3-1 01:14:43

wafer level测试时会对每颗die进行trim，我知道的有current trim和laser trim两种，前者比较费die sie，后者比较经济，但是两者都需要为之设计相应的trim circuit.另外laser trim需要使用laser机，应该会增加cost。

guang3000 · 发表于 2009-3-2 13:46:21

原帖由 沧海濯缨 于 2009-3-1 01:14 发表

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wafer level测试时会对每颗die进行trim，我知道的有current trim和laser trim两种，前者比较费die sie，后者比较经济，但是两者都需要为之设计相应的trim circuit.另外laser trim需要使用laser机，应该会增加cost。

就是啊，就算能把频率做精确些，每个都要测试，每个都要trimming, 不知道公司是否接受得了。