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bandgap中用那一种resistor?

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发表于 2009-1-29 21:52:40 | 显示全部楼层 |阅读模式

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发现bandgap中都用nwell resistor, 为啥啊?
发表于 2009-1-30 09:12:36 | 显示全部楼层



在什么片子里啊?
我怎么看到的好像都用poly电阻啊
nplus/pplus电阻也比较少看到
发表于 2009-1-30 15:48:34 | 显示全部楼层
恩,我也觉得POLY的不少
发表于 2009-1-31 04:51:48 | 显示全部楼层
个人以为,有啥用啥,主要是电阻率的考虑,使得布线不太大太小.再就是matching最好。输出的电压是电阻的比值不是绝对值,所以关系不大。。。。首选是poly,线性好,寄生小,一般有高阻可选。。。。
发表于 2009-1-31 14:42:09 | 显示全部楼层


原帖由 bruceyang60 于 2009-1-31 04:51 发表
个人以为,有啥用啥,主要是电阻率的考虑,使得布线不太大太小.再就是matching最好。输出的电压是电阻的比值不是绝对值,所以关系不大。。。。首选是poly,线性好,寄生小,一般有高阻可选。。。。


呵呵 bruce 老兄说的才是硬道理哦

电阻的温度系数不知有人考虑过吗?
发表于 2009-2-2 22:54:35 | 显示全部楼层


原帖由 m2ic 于 2009-1-31 02:42 PM 发表

呵呵 bruce 老兄说的才是硬道理哦

电阻的温度系数不知有人考虑过吗?


输出电压基准的话与电阻的温度系数是无关的
除非你想用不同温度系数的电阻做二阶补偿
发表于 2009-2-3 10:29:52 | 显示全部楼层
1,poly res 电阻值大,而且poly是cmos工艺中精度最高的,所以matching比较好,
2,一般100K--200K的电阻不需要很大面积
3,N type ,P type 电阻的温飘都很小,基本上是CMOS电阻类型里面最小的,


diffusion 电阻的弱点
尽管电阻值比较大,但是diffusion的工艺本身就很差,是process里面较差的一环,
温度系数很大,就是说温飘很明显。
发表于 2009-2-3 14:47:21 | 显示全部楼层


原帖由 zhaoqin 于 2009-2-2 22:54 发表

输出电压基准的话与电阻的温度系数是无关的
除非你想用不同温度系数的电阻做二阶补偿



温度系数与输出电压基准还是有关系的
电阻阻值变化会影响 电流=delta Vbe/R 这个电流会影响pn结Vbe
所以对输出会有影响,但是到底是一阶还是二阶我不能确定,如果这个温度系数大,影响应该不会小
发表于 2009-2-3 14:50:22 | 显示全部楼层


原帖由 ipmsn5 于 2009-2-3 10:29 发表
1,poly res 电阻值大,而且poly是cmos工艺中精度最高的,所以matching比较好,
2,一般100K--200K的电阻不需要很大面积
3,N type ,P type 电阻的温飘都很小,基本上是CMOS电阻类型里面最小的,


diffusion ...




看到65nm工艺里面,n+/p+ diffusion电阻的matching 最好
也感觉很奇怪,原来一直以为poly 的matching 最好
发表于 2009-2-4 00:10:03 | 显示全部楼层
p diffusion 的和1k poly 的都见过
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