有关于体效应的一个疑问

rainheart

在ALLEN著作中文版p149最下方谈到了P Well工艺NMOS的体有两种接法，接地或接源极，对于P Well工艺 PMOS的体，书上说没有上述的选择（只有一种接法），

我记得好像只能接地，盼高手能帮我解惑，为何有此差别，谢谢

refugee

对于pwell情况下的pmos只能够接最高电位这是因为从mos的结构上可以看出，所有的mos管都是做在一个substrate上面的。对你你所说的n衬底工艺，pmos是直接坐在衬底之上的，所以他们的衬底电位都必须是一样的，又因为pmos源极和漏极是p型参杂的，因此和衬底就会形成一个pn节，因此只有衬底接高电位（即这个pn节反偏）才不会形成衬底电流。
而对于nmos来说它是做在pwell之上的，因此相对衬底是隔离的，所以它有种接法：一种是接地（pn节反偏），一种是接源（pn节零偏）。
但是目前常见的工艺是p-sub，n-well的工艺，这种工艺是nmos衬底只能接最低电位，而pmos可以接源极或者最高电位

bruceyang60

回答正确,加10分.

又:对双井工艺,3井工艺,这些pmos的第四极，可以随意接。或者最高，或者接原籍。

122013137

目前常见的工艺是p-sub，n-well的工艺，这种工艺是nmos衬底只能接最低电位，而pmos可以接源极或者最高电位

intercon

不错呵

[ 本帖最后由 intercon 于 2009-1-13 12:23 编辑 ]

rainheart

谢谢楼上各位，可否这样理解：

共享同一衬底MOS管为了不形成衬底电流，所有的PN结需反偏，故衬底接地或VDD；
阱中的MOS管由于其相对隔离，阱接地或VDD之外还可以与源相接；

[ 本帖最后由 rainheart 于 2009-1-13 15:09 编辑 ]

bruceyang60

   

原帖由 rainheart 于 2009-1-13 12:24 发表

                               
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谢谢楼上各位，可否这样理解：

共享同一衬底MOS管为了不形成衬底电流所有的PN结需反偏，故衬底接地或VDD；
阱中的MOS管由于其相对隔离，其衬底接地或VDD之外还可以与源相接；

记住，寄生pn结反接救星了。所以，井的接法不是随意的，n井接高，p井接低。当然，为了防止body effect(井行为像一个栅极），把井接源极比较常见。

rainheart

呵呵，谢谢

vannylee

受教了