模拟集成电路的分析与设计 Paul.R Gray 翻译版 第四版 高等教育出版社 PDF+书签

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模拟集成电路的分析与设计（第4版）（翻译版） 本书来自三维网技术论坛

【原 书 名】 Analysis and Design of Analog Integrated Circuits

【原出版社】 Wiley

【作　　者】（美）Paul R.Gray,Paul J.Hurst [同作者作品]

【译　　者】 张晓林[同译者作品] 等

【丛 书 名】 国外优秀信息科学与技术系列教学用书

【出 版 社】 高等教育出版社     【书 号】 7040166003

【出版日期】 2005 年6月 【开 本】 16 【页 码】 820     【版 次】4-1

【所属分类】

工业技术 > 电工技术 > 电路 > 集成电路 教材 > 研究生/本科/专科教材 > 工学 > 电工电子

       本书介绍模拟集成电路的分析与设计。全面阐述了模拟集成电路的基本原理和概念，同时还阐述了模拟集成电路的新技术和新全书共十二章。前七章介绍了集成电路放大器件模型，双极型、MOS和BiCMOS集成电路技术，单级放大器与多级放大器，镜像电流源、有源负载和基准源，输出级，单端输出的运算放大器以及集成电路的频率呼应第八、九章介绍了反馈，反馈放大器的频率呼应和稳定性，第十章至十二章介绍了非线性模拟电路，集成电路的噪声和全差分运算广大器。
　　本书是现代模拟集成电路分析与设计的教材或参考书。既可以作为研究生或高年级本科生的教科书，也可作　应用工程的参考书，同时又是一本比较全面、系统的模拟集成电路方面的专著。

注：这版翻译错误比较多，希望大家看的时候一定要和英文原版相比较。

[ 本帖最后由 drjiachen 于 2008-12-1 22:37 编辑 ]

drjiachen

目录

第一章　集成电路放大器件模型
1.1 引言
1.2 pn结的耗尽区
1.2.1 势垒电容
1.2.2 结击穿
1.3 双极型晶体管的大信号特性
1.3.1 正向线性区的大信号模型
1.3.2 集电极电压对放大区大信号特性的影响
1.3.3 饱和区和反向线性区
1.3.4 晶体管击穿电压
1.3.5 工作条件决定晶体管电流增益
1.4 双极型晶体管的小信号模型
1.4.1 跨导
1.4.2 基区寄生电容
1.4.3 输入电阻
1.4.4 输出电阻
1.4.5 双极型晶体管的基本小信号模型
1.4.6 集电极-基极电阻
1.4.7 小信号模型的寄生单元
1.4.8 晶体管频率响应特性
1.5 金属氧化物场效应晶体管的大信号特性
1.5.1 MOS管的转移特性
1.5.2 双极型晶体管和MOS晶体管工作区的比较
1.5.3 栅-源电压的分解
1.5.4 阈值的温度独立
1.5.5 MOS管电压限制
1.6 MOS晶体管的小信号模型
1.6.1 跨导
1.6.2 栅－源以及栅－漏间固有电容
1.6.3 输入电阻
1.6.4 输出电阻
1.6.5 MOS晶体管的基本小信号模型
1.6.6 体跨导
1.6.7 小信号模型的寄生单元
1.6.8 MOS晶体管的频率响应
1.7 MOS晶体管的短沟道效应
1.7.1 水平场中的速率饱和
1.7.2 跨导和特征频率
1.7.3 水平场中的迁移率下降
1.8 MOS晶体管中的亚反向
1.8.1 亚反向中的漏极电流
1.8.2 亚反向区中的跨导和特征频率
1.9 MOS晶体管中的衬底电流
A.1.1 有源器件参数列表
第二章　双极型、MOS和BiCMOS集成电路技术
2.1 绪论
2.2 集成电路生产的基本过程
2.2.1 硅的电阻率
2.2.2 固态扩散
2.2.3 扩散层的电特性
2.2.4 光刻工艺
2.2.5 外延生长
2.2.6 离子注入
2.2.7 局部氧化
2.2.8 多晶硅的淀积
2.3 高压双极型集成电路的制造
2.4 高级双极型集成电路的制造
2.5 在双极型模拟集成电路中线性的器件
2.5.1 npn型晶体管集成电路
2.5.2 pnp型晶体管集成电路
2.6 双极型集成电路中的无源元件
2.6.1 扩散区电阻
2.6.2 外延生长电阻和外延夹断电阻
2.6.3 集成电路电容器
2.6.4 齐纳二极管
2.6.5 结型二极管
2.7 基本双极型工艺的改进
2.7.1 电介质隔离法
2.7.2 高性能有源元件的兼容处理
2.7.3 高性能无源元件
2.8 MOS集成电路的制造
2.9 MOS集成电路中的有源器件
2.9.1 n沟道晶体管
2.9.2 p沟道晶体管
2.9.3 耗尽型器件
2.9.4 双极型晶体管
2.10 MOS工艺中的无源器件
2.10.1 电阻器
2.10.2 MOS工艺中的电容器
2.10.3 CMOS技术的闩锁
2.11 BiCMOS技术
2.12 异质结双极型晶体管
2.13 互连延迟
2.14 集成电路制造过程的经济意义
2.14.1 集成电路制造过程的收益因素
2.14.2 集成电路制造中的成本因素
2.15 集成电路的封装因素
2.15.1 最大功耗
2.15.2 集成电路封装中的稳定性
A.2.1 典型参数
第三章　单级及多级放大器
3.1 模拟电路近似分析中器件模型的选择
3.2 放大器的二端口模型
3.3 基本单管放大器
3.3.1 共射组态
3.3.2 共源组态
3.3.3 共基组态
3.3.4 共栅组态
3.3.5 ro有限时的共基与共栅组态
3.3.5.1 共基与共栅组态的输入电阻
3.3.5.2 共基与共栅组态的输出电阻
3.3.6 共集组态（射随器）
3.3.7 共漏组态（源极跟随器）
3.3.8 射极反馈的共射放大器
3.3.9 源极反馈的共源放大器
3.4 多级放大器
3.4.1 CC-CE， CC-CC，及达林顿组态
3.4.2 共源共基组态
3.4.2.1 双极型共源共基组态
3.4.2.2 MOS晶体管共源共栅组态
3.4.3 线性共源共栅组态
3.4.4 超级源极跟随器
3.5 差分对
3.5.1 射极连接差分对的直流传输特性
3.5.2 射极反馈的直流传输特性
3.5.3 源极连接差分对的直流传输特性
3.5.4 差分放大器的小信号分析
3.5.5 理想对称的差分放大器的小信号特性
3.5.6 差放放大器中的不匹配效应
3.5.6.1 输入失调电压和失调电流
3.5.6.2 共射对的等效输入失调电压
3.5.6.3 共射对的失调电压：近似分析
3.5.6.4 共射对的失调电压漂移
3.5.6.5 共射对的输入失调电流
3.5.6.6 共源对的输入失调电压
3.5.6.7 共源对的失调电压：近似分析
3.5.6.8 共源对的失调电压漂移
3.5.6.9 非平衡差放放大器的小信号特性
A.3.1 静态初步和高斯分布
第四章　电流镜，有源负载和参考源
4.1 简介
4.2 简单的电流镜
4.2.1 一般特性
4.2.2 简单的电流镜
4.2.2.1 双极型晶体管结构
4.2.2.2 MOS结构
4.2.3 高精度基本电流镜
4.2.3.1 双极型晶体管结构
4.2.3.2 MOS管结构
4.2.4 改进型基本电流镜
4.2.4.1 双极型晶体管结构
4.2.4.2 MOS结构
4.2.5 共射共基电流镜
4.2.5.1 晶体管结构
4.2.5.2 MOS
4.2.6 威尔逊镜像电流源
4.2.6.1 二极管形式
4.2.6.2 MOS管形式
4.3 有源负载
4.3.1 概述
4.3.2 带有互补输出级的共射/共源放大器
4.3.3 带有耗尽型负载的共射/共源放大器
4.3.4 采用二极管连接的负载的共射/共源放大器
4.3.5 带有镜像电流负载的差分对
4.3.5.1 大信号分析
4.3.5.2 小信号分析
4.3.5.3 共模抑制比
4.4 电压和电流基准源
4.4.1 低电流偏置
4.4.1.1 双极型微电流源
4.4.1.2 MOS管微电流源
4.4.1.3 双极型峰值电流源
4.4.1.4 MOS管峰值电流源
4.4.2 对电源不敏感的偏置
4.4.2.1 Widlar电流源
4.4.2.2 使用其他标准电压的镜像电流源
4.4.2.3 自偏置
4.4.3 温度不敏感的偏置
4.4.3.1 基于双极型技术的带隙参考源偏置电路
4.4.3.2 CMOS技术中的带隙参考源偏置电路
A.4.1 参考镜像电流镜的匹配考虑
A.4.1.1 双极型
A.4.1.2 MOS
A.4.2 有源负载差分对的输入失调电压
A.4.1.1 双极型
A.4.1.2 MOS
第五章　输出级
5.1 简介
5.2 射随器作为输出级
5.2.1 射随器的传输特性
5.2.2 输出功率和效率
5.2.3 射随器的驱动要求
5.2.4 射随器的小信号特性
5.3 源级跟随器作为输出级
5.3.1 源级跟随器的传输特性
5.3.2 源级跟随器的失真
5.4 乙类放大器推拉式输出级
5.4.1 乙类放大器输出级的传输特性
5.4.2 乙类输出级的功率输出和效率
5.4.3 乙类互补式输出级的实际应用
5.4.4 全npn乙类输出级
5.4.5 准互补输出级
5.4.6 过载保护
5.5 CMOS甲乙类输出级
5.5.1 共漏极结构
5.5.2 具有误差放大的共源极结构
5.5.3 等效电路
5.5.3.1 共漏共源组合电路
5.5.3.2 具有高摆幅的共漏共源组合电路
5.5.3.3 平行共源极结构
第六章　单端输出的运算放大器
6.1 运算放大器的应用
6.1.1 反馈的基本概念
6.1.2 反向放大器
6.1.3 非反向放大器
6.1.4 差分放大器
6.1.5 非线性的模拟运算
6.1.6 积分器，微分器
6.1.7 内部放大器
6.1.7.1 开关电容器放大器
6.1.7.2 开关电容器积分器
6.2 从理想运算放大器到实际运算放大器
6.2.1 输入的偏置电流
6.2.2 输入偏移电流
6.2.3 输入偏移电压
6.2.4 共模的输入范围
6.2.5 共模抑制比（CMRR）
6.2.6 电源抑制比（PSRR）
6.2.7 输入电阻
6.2.8 输出电阻
6.2.9 频率响应
6.2.10 运算放大器的等效电路
6.3 基本的两级MOS运算放大器
6.3.1 输入电阻，输出电阻及开路电压增益
6.3.2 输出摆幅
6.3.3 输入偏移电压
6.3.4 共模抑制比
6.3.5 共模输入范围
6.3.6 电源抑制比（PSRR）
6.3.7 过载电压的效应
6.3.8 布局的讲解
6.4 具有共源共栅放大器的两级MOS 运算放大器
6.5 MOS的可伸缩的共源共栅放大器运算放大器
6.6 折叠共源共栅MOS的运算放大器
6.7 MOS有源共源共栅运算放大器
6.8 双极型运算放大器
6.8.1 741运算放大器的直流分析
6.8.2 741运算放大器的小信号分析
6.8.3 741运算放大器的输入失调电压，输入失调电流，和共模抑制比
6.9 单片集成运算放大器的设计中要考虑的问题
6.9.1 低温漂移运算放大器的设计
6.9.2 低输入电流运算放大器的设计
第七章　集成电路的频率响应
7.1 前言
7.2 单级放大器
7.2.1 单级电压放大器和密勒效应
7.2.1.1 双极型差分放大器：差模增益
7.2.1.2 MOS差分放大器：差模增益
7.2.2 差分放大器共模增益的频率响应
7.2.3 电压缓存的频率响应
7.2.3.1 射随器的频率响应
7.2.3.2 源级跟随器的频响
7.2.4 电流缓存器的频率响应
7.2.4.1 共基放大器的频率响应
7.2.4.2 共栅放大器的频率响应
7.3 多级放大器的频响
7.3.1 主极点近似
7.3.2 零值时间常数分析法
7.3.3 共源共栅电压放大器的频响
7.3.4 共射共基放大器的频响
7.3.5 负载为一个镜像电流源的差分对的频响
7.3.6 短路时间常数
7.4 741运放的频响分析
7.4.1 741的高频等效电路
7.4.2 741的-3dB频率的计算
7.4.3 741的非主导极点
7.5 频率响应和时间响应的关系
第八章　反馈
8.1 理想反馈方程
8.2 增益灵敏度
8.3 负反馈对失真的影响
8.4 反馈结构
8.4.1 串联－并联反馈
8.4.2 并联－并联反馈
8.4.3 并联－串联反馈
8.4.4 串联－串联反馈
8.5 实际组态与负载的影响
8.5.1 并联－并联反馈
8.5.2 串联－串联反馈
8.5.3 串联－并联反馈
8.5.4 并联－串联反馈
8.5.5 总结
8.6 单级反馈
8.6.1 局部串联－串联反馈
8.6.2 局部串联－并联反馈
8.7 反馈电路用作稳压器
8.8 用反馈比的反馈电路分析
8.8.1 用反馈比求闭环增益
8.8.2 用反馈比的闭环阻抗公式
8.8.3 反馈比分析的总结
8.9 在反馈电路中建立输入和输出端口的模型
第九章　反馈放大器和频率响应的稳定性
9.1 引言
9.2 反馈放大器中增益与带宽的关系
9.3 不稳定性和奈奎斯特判据
9.4 补偿
9.4.1 补偿理论
9.4.2 补偿方法
9.4.3 两级MOS管放大器补偿
9.4.4 单级CMOS运放
9.4.5 嵌套式密勒补偿
9.5 根轨迹
9.5.1 三极点的传输函数根轨迹
9.5.2 根轨迹准则
9.5.3 主极点补偿根轨迹图
9.5.4 零反馈补偿根轨迹图
9.6 摆率
9.6.1 摆率受限的原因
9.6.2 提高二级运放摆率的方法
9.6.3 双极型运放摆率的改进
9.6.4 MOS运放摆率的摆率改进
9.6.5 摆率受限对大信号正弦性能的影响
A.9.1 反馈比参数术语分析
A. 9.2 二次方程根
第十章　非线性模拟电路
10.1 引言
10.2 精密整流
10.3 使用双极型晶体管的模拟乘法器
10.3.1 共射级对管构成的简单的乘法器
10.3.2 吉尔伯特单元的直流分析
10.3.3 使用吉尔伯特单元的模拟乘法器
10.3.4 完整的模拟乘法器
10.3.5 吉尔伯特乘法器单元构成平衡调制器和鉴相器
10.4 锁相环路（PLL）
10.4.1 锁相环路的概念
10.4.2 锁定条件下的锁相环路
10.4.3 集成电路锁相环路
10.4.4 560B的单片锁相环路的分析
10.5 非线性函数综合
第十一章　集成电路的噪声
11.1 引言
11.2 噪声源
11.2.1 冲击噪声
11.2.2 热噪声
11.2.3 闪烁噪声（l/f 噪声）
11.2.4 突发噪声（“爆米花”噪声）
11.2.5 雪崩噪声
11.3 集成电路元件的噪声模型
11.3.1 结型二极管
11.3.2 双极型晶体管
11.3.3 MOS晶体管
11.3.4 电阻
11.3.5 电容和电感
11.4 电路噪声的计算
11.4.1 双极型晶体管噪声特性
11.4.2 等效输入噪声和最小可测信号
11.5 等效输入噪声源
11.5.1 双极型晶体管噪声源
11.5.2 MOS晶体管噪声源
11.6 在噪声特性下的反馈
11.6.1 在噪声特性下的理想反馈
11.6.2 在噪声特性下的实际反馈
11.7 其他晶体管结构的噪声特性
11.7.1 共基极噪声特性
11.7.2 射随器噪声特性
11.7.3 差分对噪声特性
11.8 运算放大器噪声
11.9 噪声带宽
11.10 噪声因数和噪声温度
11.10.1 噪声因数
11.10.2 噪声温度
第十二章　全差分运算放大器
12.1 绪论
12.2 全差分放大器的性能
12.3 平衡差分放大器的小信号模型
12.4 共模反馈
12.4.1 低频的共模反馈
12.4.2 共模反馈环路中的稳定性和补偿考虑
12.5 共模反馈电路
12.5.1 运用电阻分配器和放大器的CMFB
12.5.2 用两个差分对的CMFB
12.5.3 晶体管工作区的CMFB
12.5.4 开关电容共模反馈
12.6 全差分运算放大器
12.6.1 全差分两级运算放大器
12.6.2 全差分伸缩共源共栅运算放大器
12.6.3 全差分折叠式共源共栅运算放大器
12.6.4 有两个差分输入级的差分运算放大器
12.6.5 中和
12.7 不平衡的全差分电路
12.8 共模反馈环的带宽

drjiachen

模拟集成电路的分析与设计（翻译.第四版）.part01
共15部分

[ 本帖最后由 drjiachen 于 2009-3-30 20:21 编辑 ]

drjiachen

模拟集成电路的分析与设计（翻译.第四版）.part02-part15
共15部分

[ 本帖最后由 drjiachen 于 2008-12-1 22:47 编辑 ]

libaiqsl

这么多部分，要大出血了。

zweishi

模拟集成电路的分析与设计（翻译.第四版）.part01

nesta

还得回复才行
呵呵

djgirl

不回复没有part01下啊

hainihao

为什么不仔细翻译？