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楼主: nemovon

[求教]为什么不使MOS管偏置在弱反型区以获得更高的增益

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发表于 2009-9-24 20:25:26 | 显示全部楼层
个人以为,增益很大是肯定的,但是输出和工艺有很强的相关性,而且很难控制
发表于 2009-9-27 10:10:33 | 显示全部楼层
it is about trade off
area big, bw low, linearity bad,
发表于 2009-9-27 11:03:23 | 显示全部楼层


原帖由 nemovon 于 2008-11-26 10:02 发表 在一般的设计中,为什么不使MOS管偏置在弱反型区以获得更高的增益呢,例如使过驱动电压为0.05V或更小,是不是有其他方面的考虑?



电子表电路就工作在这个区
发表于 2009-9-27 12:46:48 | 显示全部楼层
特定的应用比较实用,但是不推荐,failture的risk比较高
发表于 2010-10-5 20:05:23 | 显示全部楼层
驱动能力弱
速度慢
噪声大
发表于 2010-10-27 12:00:44 | 显示全部楼层
顺路学习~
发表于 2010-10-27 17:44:55 | 显示全部楼层
主要是速度问题,电流小速度太慢
发表于 2011-5-13 09:44:30 | 显示全部楼层
回复 1# nemovon


    基准电路的运放中,为了减小失调,我增大了差分输入管的尺寸,而为了减小功耗,尾电流只给1uA,发现输入管工作在亚阈值区,不知道这种设计好还是不好
发表于 2011-5-13 10:28:37 | 显示全部楼层
corner的考量吧
做產品注重的是yeild
特性差一點點沒啥要緊
发表于 2011-5-13 23:13:34 | 显示全部楼层
在微功耗运放中,有使管子工作与弱反型区的应用。。根据艾伦书上的观点,GB与i成正相关,GB比较小是弱反型运放受限的主要原因。
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