[求教]为什么不使MOS管偏置在弱反型区以获得更高的增益

220070960 · 发表于 2008-12-2 20:32:27

亚阈值不稳定，由于工艺偏差可能进入饱和区

tiantsmart · 发表于 2008-12-2 21:12:52

确实是这样，工程与理论不同

brokencup · 发表于 2008-12-3 10:46:28

对工艺要求太高了。

cherryknight · 发表于 2008-12-3 17:11:30

但是高速的电路是工作在大电流状态的，亚阈值时的增益是很高，但是不适用在这种情形下。这也算个trade-off吧。

juliansky · 发表于 2008-12-3 23:33:05

现在常用的BSIM模型对亚阈区的描述也不够精确

chudong · 发表于 2008-12-4 08:43:34

原帖由 hotraymanf 于 2008-12-2 19:36 发表

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速度很差，噪声好高。
另外听某些有经验的设计师说太低的vdsatPVT也比较危险。

不太明白，为什么比较危险呢？是指成品率么？

draco · 发表于 2008-12-8 19:36:31

速度不够快

kakool · 发表于 2008-12-9 21:14:36

要考虑工艺的偏差，做产品而不是做仿真~

icsb · 发表于 2008-12-9 22:31:28

原帖由 jjh13418751940 于 2008-12-7 21:53 发表

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谁说亚于去增益大啊

的确很大
其实设计是有技巧的
你用很宽的管子  然后大电流的情况下你会发现不管你跑什么corner 都会在亚阈值区的  所以工艺不是问题
第二噪声不高啊不管是热噪声还是闪烁噪声  ，貌似和工作区域没有关系啊
而且在大电流下，跨导会变大，反而使噪声减小而且由于面积大 1/f噪声也小啊
当然功耗会大这主要和你的应用有点关系  如果GBW大的话还是可以考虑的

tigermouth · 发表于 2008-12-9 22:36:40

在fab提供的文档，看到measurment 和model 曲线对比似乎也挺准的

[求教]为什么不使MOS管偏置在弱反型区以获得更高的增益

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