请问为何要使用secondery ESD?

hym4063 · 发表于 2008-11-22 22:09:51

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我个人理解是因为衬底电势差，不知对否？

duduxy · 发表于 2008-11-24 09:00:55

一般而言,2nd的ESD器件比较容易开启,但防护能力较弱,1st的ESD器件比较难开启,但防护能力强.
ESD pulse来的时候,2nd的ESD先起作用,当流过一定的电流时,由于1st,和2nd之间一个串联电阻的作用使在1st的电压显著增大,这样就促使1st的ESD器件能均匀开启,起到有效防护的作用.

简单来说,加了串联电阻和2nd器件,能增大1st的Vt2,还能使其更均匀开启. 另在2nd器件在CDM防护设计上也有帮助.

hym4063 · 发表于 2008-11-24 10:48:28

原帖由 duduxy 于 2008-11-24 09:00 发表

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一般而言,2nd的ESD器件比较容易开启,但防护能力较弱,1st的ESD器件比较难开启,但防护能力强.
ESD pulse来的时候,2nd的ESD先起作用,当流过一定的电流时,由于1st,和2nd之间一个串联电阻的作用使在1st的电压显著增大,这 ...

哦，谢谢了！
还有几个小问题。。呵呵
开启是指击穿？
Vt2是指？
那为什么2nd ESD要靠近电路输入器件呢？
还望大侠不吝赐教!

[ 本帖最后由 hym4063 于 2008-11-24 10:56 编辑 ]

duduxy · 发表于 2008-11-24 12:14:33

原帖由 hym4063 于 2008-11-24 10:48 发表

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哦，谢谢了！
还有几个小问题。。呵呵
开启是指击穿？
Vt2是指？
那为什么2nd ESD要靠近电路输入器件呢？
还望大侠不吝赐教!

开启一般指击穿
Vt2是指二次击穿(失效)点的ESD器件上的电压
因为2nd ESD要放在串联电阻后面,core circuit前面,这样才能使更难触发的1st器件开启. 前面已经提到了,你再看下就明白了

zhukh · 发表于 2009-1-4 18:59:18

原帖由 duduxy 于 2008-11-24 12:14 发表

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开启一般指击穿
Vt2是指二次击穿(失效)点的ESD器件上的电压
因为2nd ESD要放在串联电阻后面,core circuit前面,这样才能使更难触发的1st器件开启. 前面已经提到了,你再看下就明白了

wo ding

mark231 · 发表于 2009-1-4 23:52:00

usually is for the MM and CDM mode RSD stress

zhukh · 发表于 2009-1-5 15:40:39

原帖由 mark231 于 2009-1-4 23:52 发表

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usually is for the MM and CDM mode RSD stress

would you please give more detail about why it's used for CDM ESD stress?

wontall · 发表于 2009-1-7 12:52:24

CDM, MM and HBM ESD evens differ in current magnitude, polarity, time constant, as well as the locaiton of current source.

请问为何要使用secondery ESD?

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