在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
楼主: sumig

在Spectre仿真中,对于Vdsat和Vov不相等的初次探究

[复制链接]
发表于 2009-3-6 15:25:27 | 显示全部楼层

asfsadfds

asdfdafs
发表于 2009-3-6 15:33:52 | 显示全部楼层
先学习一下 呵呵
发表于 2009-3-6 17:36:50 | 显示全部楼层
一般来说,如果只考虑一阶效应
Vod=Vdsat,那么Vds>Vdsat,管子就工作在饱和区了,

上面的结论只对长沟道器件有效,大家现在一般做0.5u的process的话,就要考虑二阶效应了
此时,如果 Vds<Vdsat,工作在triode region,Vod close to Vdsat
                 Vds>Vdsat,工作在saturation region,Vod will bigger than Vdsat
那么你用Vod来设计你的电路,在不同的温度和corner下面就会有一个比较好的裕度,容易使管子工作在饱和区
以上是我的理解,欢迎大家指教!
大家可以参考  http://www.ece.uci.edu/docs/hspice/hspice_2001_2-162.html
大家手算时用Vod(Vgs-Vth)就可以了。
发表于 2009-3-6 21:26:40 | 显示全部楼层
了解一下    哈哈
发表于 2009-3-6 21:58:08 | 显示全部楼层
:) :) :)
发表于 2009-3-10 20:01:37 | 显示全部楼层
谢谢!
发表于 2009-3-11 14:21:48 | 显示全部楼层
好东西!
发表于 2009-3-11 16:33:58 | 显示全部楼层
看看一下
发表于 2009-3-11 16:37:08 | 显示全部楼层
lz分析的很不错,长见识了
发表于 2009-3-14 00:13:07 | 显示全部楼层
设计时,vov没有太大参考价值。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-1-11 12:52 , Processed in 0.020778 second(s), 5 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表