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求教!!关于VCO设计的问题!!!

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发表于 2008-10-31 16:39:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在LC-VCO设计中,要确定负载管的宽长比要先知道偏置电流的大小,但是偏置电流的大小又跟振荡幅度有关Vosc=Iss*Rtank,要确定了管的宽长比才能知道Rtank.
那究竟要如何设计?先确定偏置电流还是先确定宽长比???还是有其他的方法???
新手上路!!请各位高手多多指点!!!
发表于 2008-10-31 20:46:33 | 显示全部楼层
LC-VCO中的负载管指的是什么?
 楼主| 发表于 2008-10-31 21:25:57 | 显示全部楼层
抱歉!!打错字!!
在LC-VCO设计中,要确定负阻管的宽长比要先知道偏置电流的大小,但是偏置电流的大小又跟振荡幅度有关Vosc=Iss*Rtank,要确定了管的宽长比才能知道Rtank.
那究竟要如何设计?先确定偏置电流还是先确定宽长比???还是有其他的方法???
新手上路!!请各位高手多多指点!!!
发表于 2008-10-31 23:01:15 | 显示全部楼层
这种玄幻的东西你问十个人估计都有十种设计方法了。

先设计电感,对VCO而言,越大的电感,越高的品质因数就越好了,问题在于太大的电感你的可变电容PVT一变,频率就飘很多,而且电感值和品质因数以及自谐振频率由折中,在面积一定的情况下,一般是小电感的话LQ3比较大,但是同时又要考虑到驱动反相器buffer必要的输出摆幅,所以也不能太小了,总之电感就够你做了,然后设计好的电感需要用一些软件建模,提取三维电磁场参数的S参数,比较模型的准确性。做的时候还要考虑到PVT以及周边环境的影响,有意的DEq
至于做负阻管,我建议你看Vdsat, L选比最小的大一个到两个lamda,Vdsat不能小于150mV,不然你会看到尤其是你的1/f3噪声的恶化,论文很多但是也都是互相否定,会越看越糊涂,多看spectre的noise summary,做VCO shooting method的spectrRF 比golden gate好太多在准确性
如果电压余量允许就两个叉叉对,否则就一个,一般用上面PMOS电流源会好些,但是记得加大旁路电容使交流地
东西太多,你还是先做了再说吧。
 楼主| 发表于 2008-11-1 09:29:44 | 显示全部楼层
感谢楼上的详细回复?
顺便若问为什么设计电感要提取三维电磁场参数的S参数,VCO不是只关心电感的Q和L的值吗?设计电感的时候要用什么软件,建模的时候又要用什么软件?sonnet吗?
发表于 2008-11-1 13:28:33 | 显示全部楼层
ASITIC+HFSS+ADS
只有真三维场仿真的Q才是较精确的,所以要用HFSS一类的软件了
ASITIC只是因为快所以可以初始设计的仿真器类工具。但是你可以比较相信得到的电感值,Q则会差很多。
发表于 2009-9-4 16:03:05 | 显示全部楼层
受教啊,不错,看得越多越头痛。
另外从仿真结果看,旁路电容并不是越大越好,也不是越小越好。有些论文给出70p或者几十p的,但是仿真却发现几p就OK了,大了相噪反而差,不知道这是为什么。
发表于 2009-11-3 14:42:18 | 显示全部楼层
不错, 个人都有自己的方法
发表于 2010-9-18 11:21:37 | 显示全部楼层
电感的选取好像有个经验值:振荡频率为5GHz,电感为1nH:振荡频率为1GHz ,电感选5nH,其它的按比例关系选....
发表于 2011-3-23 21:21:34 | 显示全部楼层
正在做lc-VCO亦有同样的困惑,谢谢
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