请问过冲是怎么产生的?

xiaobenyi · 发表于 2008-10-30 16:48:23

原帖由 xixiyan 于 2008-10-30 16:23 发表

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是吗，那还得想想
我的看法是如果之前输入是高，输出低。当输入变高的时候，输出会瞬变为2VDD，如果pmos漏栅电容够大的话。

输入是高,怎么还会"变高"呢?
你说的现象是自举,在反馈上经常用,弥勒电容就是这样的

xiaobenyi · 发表于 2008-10-31 09:16:08

顶一下,请各位解答一下

tonywai · 发表于 2008-10-31 11:07:25

寄生电感电容也会导致过冲

peter_fu · 发表于 2010-8-12 09:40:24

同意状态翻转时耦合产生毛刺。

feyn · 发表于 2010-8-12 12:59:06

主要是封闭bonding wire的寄生电感引起的

hehejiuaixiao · 发表于 2010-8-12 14:02:52

非线性寄生元件，电感或者电容等，对电荷的充放电等效应引起的

hehejiuaixiao · 发表于 2010-8-12 14:08:36

栅漏电容是存在,而且会起作用,
但是对输出级来说,假如先前的状态是输出 0 ,那么对N管来说栅电压应为 VDD ,栅漏电压是正的, 翻转的时候栅压变为 0 ,如果栅漏电容不放电,输出应该是负压, 产生下冲, 可是这时候正常 ...
xiaobenyi 发表于 2008-10-30 16:08

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对于方向器，此处寄生电容不仅仅是N管的栅漏电容，还有P管的栅漏电容。。。这个寄生电容应该不是固定值吧，应该跟管子的工作状态有关系！？

來找碴啊 · 发表于 2010-8-13 08:45:33

嗯嗯!!我得多學點~~~

yzhfy · 发表于 2010-8-13 13:53:14

感觉感觉~

xiaobenyi · 发表于 2010-9-20 16:58:31

主要是封闭bonding wire的寄生电感引起的
feyn 发表于 2010-8-12 12:59

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说得有理，振铃现象应该就是这样产生的，IO对外部的寄生电容充电，是通过bonding wire以及PCB走线了的，这些走线的寄生电感和电容导致LC振荡，导线内阻使振幅越来越小，过冲应该是阻尼振荡的时间很短，同时寄生电感比较大，也是振铃现象的一种

请问过冲是怎么产生的?

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