关于带隙基准设计中PSRR和电路启动问题

martiny3

1、请说说 启动是怎么仿真出来的 ？
2、关于电源抑制比的方法有好几种。不知道你对电路参数有什么具体要求。
前面兄弟 提到的cascode结构对于低电压工作比较困难。采用preregulator会增大功耗和面积。最简单的方法就是 从数学公式上推到，引入和电源相关的反馈环路。

我对你第一个问题比较感兴趣，启动的仿真问题是否准确呢？
你那是否是看启动电路的启动瞬态响应？

xxdtju

的确可以通过叠加计算，第一步没问题
第二步，共栅增益为gm2*R1
运放为电压电压负反馈增益退化为
（R1*gm2/(1+Av*R1*gm2)）*gm2*R1
叠加时，第二步所得为负即     1-2
即得所求   gm3*R2/(1+Av*R1*gm2)，

guonanxiang

   

原帖由 yanzhe209 于 2008-10-18 15:59 发表

                               
登录/注册后可看大图

谢谢楼上大哥的建议,不过我对直流增益Vdd/Vref=gm3*R2/(1+Av*R1*gm2)这个公式还有点不太明白,还得请教一下,


按我的理解,Vdd/Vref可以用这样的叠加法来求解,
1,Vdd直接通过P3(相当于一个共栅放大器)放大后,得到 ...

提供一个思路：假设vdd变化一个小量，可以计算电流镜电流的变化，这个变化delta(i)*R2就等于输出变化
要提高psrr可以考虑换结构，比如三电阻+二级op的结构

GIMAYON

板上高手真多

受教了!

semico_ljj

请问“PSRR>60dB”是指多高的频率下的？比如100Hz或1kHz甚至1MHz？

semico_ljj

还有一点采用1。5V电源，工艺是0。18um还是0。13um？

martiny3

针对你的要求，采用运放构成反馈环路就可以满足PSRR>60db（应该是直流增益）的要求。
我所说的都是对于很高的PSRR要求。
有什么问题，我们可以qq留言联系。
我上网不方便。