在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 18082|回复: 34

(紧急请教)有谁熟悉artisan生成的双端口SRAM的特性?

[复制链接]
发表于 2008-9-19 09:37:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
我们用memory compiler生成的双端口sram 128x32,32bit的每位都生成了WEN,我想知道是否可以通过两个端口独立地对某个字的32位不重叠的位进行独立读写操作?比如A口对第n位进行独立读写,B口对第m位进行独立读写,所谓独立就是两个时钟完全异步我们从手册上只能确定的是对同一位进行读写操作必须大于一个delta后才有效,而不能确定的是对于不同位是否可以通过各自的WEN来进行读写而不受这个delta的限制。有哪位专家熟悉这个内部结构的请不吝赐教,多谢!
 楼主| 发表于 2008-9-22 09:22:52 | 显示全部楼层
自顶
发表于 2008-9-22 15:45:52 | 显示全部楼层
楼主:

可否先用功能仿真来验证你的想法?
 楼主| 发表于 2008-9-23 15:15:00 | 显示全部楼层
MC生成的verilog模型是支持我的想法的,但是仅从模型仿真结果还不敢确定,必须对内部电路了解才能最终确认。有些人认为我的想法是不可靠的。
发表于 2008-9-23 17:13:22 | 显示全部楼层
应该是不允许这样操作的巴。
两端口时钟异步,那就有可能在某时刻,两端口同时访问同一地址进行写操作。。。。
 楼主| 发表于 2008-9-23 23:48:27 | 显示全部楼层


但我的问题是通过每位的WEN来同时对不同位进行写。
发表于 2008-9-24 10:08:55 | 显示全部楼层
阿扁,我把你的帖子贴在另外一个论坛了,那个论坛讨论比较热烈一点。

该如何谢我?
发表于 2008-9-24 14:31:04 | 显示全部楼层
只要能保证不会读写到同一个地址这样的操作是可以的。实在不放心可以用生成的cdl电路网表仿真来确认。
发表于 2008-9-24 16:03:15 | 显示全部楼层
可以,但是两个时钟之间有一个非常严格的时序关系,在它的datasheet和lib文件中可以看到.

这个是另外一个论坛的老大的老大的答复。

应该是有把握的回答!

不好意思,我有权威崇拜症^_^
 楼主| 发表于 2008-9-24 16:19:04 | 显示全部楼层


原帖由 henryliu 于 2008-9-24 16:03 发表
可以,但是两个时钟之间有一个非常严格的时序关系,在它的datasheet和lib文件中可以看到.

这个是另外一个论坛的老大的老大的答复。

应该是有把握的回答!

不好意思,我有权威崇拜症^_^



多谢你和这位老大,我知道对同一地址的同一位进行读写必须遵守严格的delta时序关系(如这位老大说的datasheet上都有要求),但我的问题是任意时刻对同一字(也就是相同地址)的不同的位进行读写是否无需遵守这个delta关系。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-22 09:17 , Processed in 0.025181 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表