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原帖由 老扁 于 2008-9-24 16:19 发表 登录/注册后可看大图 多谢你和这位老大,我知道对同一地址的同一位进行读写必须遵守严格的delta时序关系(如这位老大说的datasheet上都有要求),但我的问题是任意时刻对同一字(也就是相同地址)的不同的位进行读写是否无需遵守这个 ...
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原帖由 dragonba 于 2008-9-24 19:38 发表 登录/注册后可看大图 个人理解,如果去掉这个delta延时的要求可能不行。 刚找了本数字逻辑的书看了下,普通单口RAM内部包括字线和位线,地址、片选、读写使能hit后,某一根字线有效,然后位线输入或输出,位线可理解为数据总线。 同理推断双口RAM可能主要是增加了一套地址译码逻辑,并且在每个基本存储单元上增加了两个口的读和写的开关,但本质上还是存在字线的。不考虑mask的话,字线有效会涵盖整个字的范围(32bit),估计不太可能只对字的某些bit操作,那样译码逻辑会过于复杂。
原帖由 suplioooo 于 2008-9-24 14:31 发表 登录/注册后可看大图 只要能保证不会读写到同一个地址这样的操作是可以的。实在不放心可以用生成的cdl电路网表仿真来确认。
原帖由 suplioooo 于 2008-9-25 11:21 发表 登录/注册后可看大图 不好意思,之前理解错楼主的意思了。。楼主的操作是对相同地址进行。 存储单元的两条地址线同时打开时,如果两套位线上数据不一样就会互相干扰,出现错误。所以这种情况读写需要满足datasheet上的时序关系的。
原帖由 老扁 于 2008-9-25 11:45 发表 登录/注册后可看大图 多谢你的答复。你这个解释倒是值得仔细思考。但从datasheet上来看,“同时对某一位读和写,写会有效,而读无效”,那么就是说读的位线对写没有干扰;如果同时对不同位进行写(靠WEN控制),相当于n位在同时读写, ...
原帖由 suplioooo 于 2008-9-25 12:30 发表 登录/注册后可看大图 读写同时发生,假设写的数据和原来存的不一样,会有一个临界的时间点,在它之前和之后读出的数据不一样,如果这个数据有用就还是需要一个时序关系来确保读出的是我们想要的。 楼主是否只是希望能写入而不关心同时读 ...
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