在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
楼主: 老扁

(紧急请教)有谁熟悉artisan生成的双端口SRAM的特性?

[复制链接]
发表于 2008-9-24 17:52:40 | 显示全部楼层
这个问题,我不太了解,现在说出我的看法。
如果是项目中碰到的实际问题,那能否修改代码,避免在任意时刻对同一地址的不同的位进行读写操作。
据我所知,很忌讳对同一地址进行读写操作。
对不太确定的,有争议的地方,在流片的时候,最好能用替代的方案替代掉。

如果仅仅是对技术的精益求精,则另当别论。





原帖由 老扁 于 2008-9-24 16:19 发表


多谢你和这位老大,我知道对同一地址的同一位进行读写必须遵守严格的delta时序关系(如这位老大说的datasheet上都有要求),但我的问题是任意时刻对同一字(也就是相同地址)的不同的位进行读写是否无需遵守这个 ...

发表于 2008-9-24 19:38:47 | 显示全部楼层
个人理解,如果去掉这个delta延时的要求可能不行。

刚找了本数字逻辑的书看了下,普通单口RAM内部包括字线和位线,地址、片选、读写使能hit后,某一根字线有效,然后位线输入或输出,位线可理解为数据总线。

同理推断双口RAM可能主要是增加了一套地址译码逻辑,并且在每个基本存储单元上增加了两个口的读和写的开关,但本质上还是存在字线的。不考虑mask的话,字线有效会涵盖整个字的范围(32bit),估计不太可能只对字的某些bit操作,那样译码逻辑会过于复杂。
 楼主| 发表于 2008-9-24 20:41:47 | 显示全部楼层


原帖由 dragonba 于 2008-9-24 19:38 发表
个人理解,如果去掉这个delta延时的要求可能不行。

刚找了本数字逻辑的书看了下,普通单口RAM内部包括字线和位线,地址、片选、读写使能hit后,某一根字线有效,然后位线输入或输出,位线可理解为数据总线。

同理推断双口RAM可能主要是增加了一套地址译码逻辑,并且在每个基本存储单元上增加了两个口的读和写的开关,但本质上还是存在字线的。不考虑mask的话,字线有效会涵盖整个字的范围(32bit),估计不太可能只对字的某些bit操作,那样译码逻辑会过于复杂。



您的理解有一定的道理,但我认为从电路设计的角度来说,两个端口如果是同一个地址,地址译码会使得字线一直有效,不存在电平变化,两个端口分别根据各位的WEN操作各自的位线即可。
 楼主| 发表于 2008-9-24 21:08:26 | 显示全部楼层


原帖由 suplioooo 于 2008-9-24 14:31 发表
只要能保证不会读写到同一个地址这样的操作是可以的。实在不放心可以用生成的cdl电路网表仿真来确认。


只有GDSII可以进行spice仿真吗?
发表于 2008-9-25 11:21:50 | 显示全部楼层
不好意思,之前理解错楼主的意思了。。楼主的操作是对相同地址进行。
存储单元的两条地址线同时打开时,两套位线都可以影响存储节点,很多情况下(都是读操作时没有问题)会互相干扰出现错误。所以需要满足datasheet上的时序关系以确保两条字线不会同时打开。

[ 本帖最后由 suplioooo 于 2008-9-25 11:41 编辑 ]
 楼主| 发表于 2008-9-25 11:45:34 | 显示全部楼层


原帖由 suplioooo 于 2008-9-25 11:21 发表
不好意思,之前理解错楼主的意思了。。楼主的操作是对相同地址进行。
存储单元的两条地址线同时打开时,如果两套位线上数据不一样就会互相干扰,出现错误。所以这种情况读写需要满足datasheet上的时序关系的。



多谢你的答复。你这个解释倒是值得仔细思考。但从datasheet上来看,“同时对某一位读和写,写会有效,而读无效”,那么就是说读的位线对写没有干扰;如果同时对不同位进行写(靠WEN控制),相当于n位在同时读写,m位也在同时读写,两个写都有效,而读无效,但我们并不在乎这个读结果。所以虽然你说位线有干扰,但我认为仍然会有效工作。不知道还有没有进一步的干扰来限制到我的理解。
发表于 2008-9-25 12:30:47 | 显示全部楼层
读写同时发生,假设写的数据和原来存的不一样,会有一个临界的时间点,在它之前和之后读出的数据不一样,如果这个数据有用就还是需要一个时序关系来确保读出的是我们想要的。
楼主是否只是希望能写入而不关心同时读出的数据?如果是这样的情况还需要再考虑。




原帖由 老扁 于 2008-9-25 11:45 发表


多谢你的答复。你这个解释倒是值得仔细思考。但从datasheet上来看,“同时对某一位读和写,写会有效,而读无效”,那么就是说读的位线对写没有干扰;如果同时对不同位进行写(靠WEN控制),相当于n位在同时读写, ...

 楼主| 发表于 2008-9-25 14:28:44 | 显示全部楼层


原帖由 suplioooo 于 2008-9-25 12:30 发表
读写同时发生,假设写的数据和原来存的不一样,会有一个临界的时间点,在它之前和之后读出的数据不一样,如果这个数据有用就还是需要一个时序关系来确保读出的是我们想要的。
楼主是否只是希望能写入而不关心同时读 ...



不是不关心读,是我的问题变相等价于:任意时刻双写时,不同位的两条位线只可能一读一写。我关心的是对不同位的任意读写是否有效,而不考虑相同位的情况。
 楼主| 发表于 2008-9-26 22:17:09 | 显示全部楼层
不知道国内有没有人研究过dual port block sram的设计。
 楼主| 发表于 2008-10-9 09:54:02 | 显示全部楼层
终于得到artisan的答复,我们的想法是对的,可以对不同的bit任意读写。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-18 14:40 , Processed in 0.028077 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表