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[paper]LOW-VOLTAGE HIGH DRIVING CAPABILITY

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发表于 2008-7-13 13:04:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

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ABSTRACT
A class-AB low voltage high driving capability
CMOS buffer amplifier using improved quasicomplementary
output stage and error amplifiers
with adaptive loads is developed. Improved quasicomplementary
output stage enables it more suitable for
low voltage applications, while adaptive load in error
amplifier is used to increase the driving capability and
reduce the sensitivity of the quiescent current to process
variation. The circuit has been fabricated in 0.8 pm
CMOS process. With 300 R load in a f 1.5V supply, its
output swing is 2.42V. The mean value of quiescent current
for eight samples is 204pA, with the worst deviation
of 17%.
00814410.pdf (342.5 KB, 下载次数: 26 )
 楼主| 发表于 2008-7-13 13:06:16 | 显示全部楼层

ding

the tittle as below
LOW-VOLTAGE HIGH DRIVING CAPABILITY
CMOS BUFFER USED IN MEMS INTERFACE CIRCUITS
发表于 2008-7-14 14:52:50 | 显示全部楼层

thanks

thanks
发表于 2008-7-14 14:55:03 | 显示全部楼层

thanks

发表于 2008-7-14 14:57:43 | 显示全部楼层

thanks

头像被屏蔽
发表于 2008-7-15 05:01:48 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2008-7-16 00:20:51 | 显示全部楼层
have a look
发表于 2017-11-25 22:16:32 | 显示全部楼层
LOW-VOLTAGE HIGH DRIVING CAPABILITY
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