大家帮忙看一下这个结构的版图是什么器件

xiaobenyi

   

原帖由 chenzhm 于 2008-6-14 20:57 发表

                               
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X应该是集电极，Y是发射极，Z是基极吧！

6楼正解！

zaitian80

   

原帖由 chenzhm 于 2008-6-14 20:57 发表

                               
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X应该是集电极，Y是发射极，Z是基极吧！

如果画出cross-section的话，X为C的概率太低了吧
如果X是C，则必然是lateral device，那么有个疑问就是有效基区实在太少了，而且不平衡
Grey的书里的模型中，BJT current mirror 的特征是所有的C是环绕着E的，确保有效基区宽度一致并且成比例

个人感觉是vertical device，从面积的角度看X更象E，从对称性角度看，则Y更象E。如果有染色照片以及周围其他确定的器件照片会比较容易判断些

[ 本帖最后由 zaitian80 于 2008-7-25 10:14 编辑 ]

forman1115

我觉得有可能是横向的PNP管，在中间的那一排是发射极，两面的集电极把发射极包围起来，起到一个很好的收集集电极电流的作用，最下面的那个应该是基极

czfaileen

如果不是双阱工艺的话，只能是PNP管了，呵呵。
因为在p衬上，而且射极只能接最低电位。

guang3000

在bi-cmos工艺里见过这种发射极很小的横向pnp管

meawei

xuexi le

zhaoguolll

是什么工艺啊?双阱的吗?我感觉像是纵向的管子,具体的N, P 可以从染色层看出来的.

fuyibin

一般来说在Bicmos工艺中，可能做纵向npn管和横向pnp管
光从图形上看是都有可能的，但是既然做了解剖，肯定会分析电路的结构与功能
一般电源地先进行区分
电源地区分后，p型器件和n型器件就可以区分了，这样看到具体的器件就可以确定n/p型了

tjjbraye

肯定是纵向器件，如果横向的，那么X应该将Y包围起来，要不然电流会从没有围的两边漏掉
假设是NPN，那么X：b，Y：e，Z：c

fuyibin

   

原帖由 tjjbraye 于 2008-9-12 20:48 发表

                               
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肯定是纵向器件，如果横向的，那么X应该将Y包围起来，要不然电流会从没有围的两边漏掉
假设是NPN，那么X：b，Y：e，Z：c

怎么能肯定是纵向器件呢？
横向器件也未必需要collector将emitter包围起来！不包围只是引起发射极各边的电流密度不同而已！电流会流到哪里去？不会漏掉，因为即使包围，但井作为基区，下面也是通的。
偶反而觉得横向的可能更大！
因为这几个开孔区域的间距时相同的，如果是纵向的话，X是base，Z是collector，但是考虑到X为P+，到p-base有最小距离，同时Z为N+到p-base也需要最小距离，所以Z到X距离要增大！但是现在都是等距。