关于corner分析的几个问题

iceplanet

小弟现在有一个库，库里包含了五个参数的corner信息，分别是nmos，pmos，bjt，res，mim；理论上讲，有25个corner，现有以下问题，望高手指教！
1、是否要做所有25个corner的分析？（由于我没有什么经验，考虑全部都做）
2、就运放来说，是否所有的corner运放的PM都要在45度以上？（就我的考虑，似乎45度的PM就是为了保证在工艺存在误差的情况下不发生振荡，而corner分析已将工艺误差考虑在内，所以的在corner上的PM的要求是否可以放宽，比如10度，20度）
3、据说有可以从fountry的corner库得到MC库的方法，是真的吗？如果有，能否提供相关资料，谢谢！（网上似乎没有具体说怎么转换的资料）

[ 本帖最后由 iceplanet 于 2008-5-4 23:42 编辑 ]

guonanxiang

1、理论上来讲加入电源、温度的变化，远远不止25个corner，如果用artist可以写dcf文件，一次搞定；
2、op的pm在corner仿真下变化不大，保守设计pm=60度，出来什么结果，仿真是靠不住的，即使仿完所有corner也可能出问题,也可能你不怎么仿也不会出问题!不过一般op稳定性设计不会出什么问题,当然非常规的除外;
3\不清楚,没做过

hvpower

恩
1： 一个子电路必须每一个CORNER都要过 所以你的25种情况都要仿真 还要加上电源电压和温度的话 就不值那么多了 当然 有一个种比较投机的方法就是 找出最好和最坏的CORNER 的边界情况， 这样可以减少很多仿真 不过这个要找出来 还是需要仿真很多的
2： PM最好是60度 而且在仿真的时候 也要考虑工艺偏差，所以最好在仿真的时候保证到70度 当然这个不一定容易达到。所以你要考虑折衷了 但是不同的CORNER下偏差不应该那么大 所以10度左右的最好就不要来了 这个很容易不稳定。
3：这个问题我也不懂

iceplanet

“如果用artist可以写dcf文件，一次搞定”，这个是某种语言吧？就像Cadence里有个叫“ocearn”的，不过我还没去学。当时考虑就是把所有的corner都写进一个lib文件（工作量有点大!)，然后用Cadence的corner分析工具去跑。
对于第二个问题，上次看一个Cadence的教程上PM的值对corner似乎比较敏感，而且在有一个corner点上PM出现了负值（在TT时PM>45度），当然那只是一个练习。所以考虑用目前的库再去做一下。

xiaozhuzhu2

跑worst-case corner就可以了
不过很怀疑PM能在那种情况下满足条件

guonanxiang

仿真首先仅仅是参考,最终还是要靠自己对电路的理解和实际流片经验,如果仿真能解决问题模拟设计就没有难度了!corner对于一般op的pm影响很小,当然如果你一个电阻串个电容,电阻偏差对极点位置影响肯定很大,所以要具体问题具体分析!worst case对于大多数电路来说很难找到的,如果电路规模不大\仿真时间不长还是要所有corner进行分析,如果仿真时间很长,可以就仿那几个特定corner.

chudong

个人看法：
先问两个问题：
1.不知道你在哪里tapeout？
2.不知道你的chip是什么功能？数字？模拟？混合？功率有多大？

如果是普通的低频的chip，工艺又比较稳定，跑个25C  TT就ok了
如果chip比较复杂，尤其是数模混合的功率chip，那就麻烦了！！
如果工艺不是很稳定，你还是老老实实把corner验证一下！！

iceplanet

首先，感谢大家的关注，呵呵！
我的运放的用在基准里的，而这个基准又是用在D/A里的，是一个两级运放，用了电容+串电阻的反馈，如guonanxiang 所说，电容，电阻的偏差可能对极点有影响，但目前还没具体去试

chrisccq

2、op的Pm是好点好，稳妥，因为仿真不能替代实际情况
3、mcmodel有些foundry是能提供的，如tsmc，有闲钱闲力去做，可以对性能的坏情况有估计

balancee

额。。过来学习一下