关于MOS电容的问题！

fky903 · 发表于 2008-4-5 01:13:32

支持一下先

saber_haijun · 发表于 2008-4-9 16:11:51

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ives · 发表于 2008-4-9 21:37:05

MOS电容非线性。以NMOS为例
栅对背栅负电位时，电容值正常，直到栅电位为0。栅电压由0变正，但小于VTH时，电容变小，因为串联了一个耗尽电容。之后，MOS反型，强反型。强反型后，电容再次变为正常。

具体参考Razavi ＜模拟CMOS集成电路设计＞，好像是第二章的。也可参考＜The art of analog Layout>.第六章，电容，讲　电容的电压调节特性。

joe_chen · 发表于 2008-4-9 23:12:18

很有道理，有人能更详细

yuem.yang@gmail · 发表于 2010-6-4 21:36:52

好像情况有很多了，处于截止区的也可以。好像拉扎维的那本书上有讲到！

swjtuli · 发表于 2010-6-4 23:50:46

按照楼主说的，电容应该是出于3个区，可以看拉杂为的书

swjtuli · 发表于 2010-6-4 23:52:04

再或者看下LC_VCO方面可变电容的资料，就可以明白了。呵呵

sxzong_hit · 发表于 2010-6-5 00:46:59

大虾，可以分享一下第二本书的电子版吗？谢谢~~ 13# ives

huhuh · 发表于 2010-6-7 13:01:23

基本上是差不多的，但是一定要保证vgs>vt，否则电容会很小，补偿就不够

ghifi37 · 发表于 2010-6-7 15:30:31

管子使用耗尽管，就可以不用考虑偏置的问题了

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saber_haijun saber_haijun 当前离线积分 1573 IP卡狗仔卡头像被屏蔽	发表于 2008-4-9 16:11:51 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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