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MOS Varactor分为两种,反型模式(Inversion-Mode)和积累模式(Accumulation-Mode),其中Inversion-Mode是由一般的MOS管通过一定的接法来实现,而Accumulation-Mode则是应该将做在N阱里的PMOS的源漏的P+注入换成N+注入,这在论文“On the use of mos varactor in RF VCO's”中提到过,文中也提到过工艺厂不提供Accumulation-mode varactor的model,需要自己流片测试。问题有三:
1): 目前工艺中的库中有没有accumulation-mode varactor的model?
2):在smic RF CMOS 0.18的库中,有MOSCAP这样的model,它是采用Inversion-mode还是accumulation-mode,还是其他模式,如何在库文件中判断?
3):设计LC_VCO时,应该采用smic RF CMOS 0.18中的MOSCAP作为varactor还是用一般的MOS通过形成Inversion-mode的接法来实现反型的varactor?
多谢指导。 |
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