mjd888的个人空间 https://blog.eetop.cn/?1689069 [收藏] [复制] [分享] [RSS]

统计信息

已有 2977 人来访过

    现在还没有相册

    现在还没有记录

  • 暂无资料项或无权查看

查看全部个人资料

    现在还没有动态

IPA057N06N3G OptiMOS ™ 60V功率器件 - IPG20N10S4L-35 双 N增强型MOSFET,XC6SLX100-3FGG484C(FPGA) 2025-09-22
IPG20N10S4L-35是双N沟道增强型MOSFET,采用TDSON-8封装(5×6mm尺寸),适用于汽车电子领域。以下是关键参数: 技术:MOSFET(金属氧化物) 配置:2 N-通道 ...
(16)次阅读|(0)个评论
UltraCMOS® PE4314B-Z射频数字步进衰减器 / TCAN4550RGYRQ1 TCAN1051GDRQ1 TPS62876QWRZVRQ1 汽车级集成电路(IC) 2025-09-15
1、PE4314B-Z UltraCMOS® 射频数字步进衰减器,1 MHz–2.5 GHz芯片详解 PE4314B-Z是一款采用75Ω HaRP™增强技术的6位射频数字步进衰减器(DSA),支持1 MHz ...
(243)次阅读|(0)个评论
支持 2 通道、3 通道电荷共享的TPS65197BRUYR 8 通道电平转换器 / TPS65126RSHR / TPS27S100BPWPR 详细参数 2025-09-03
TPS65197BRUYR 8 通道电平转换器,支持 2 通道、3 通道电荷共享和面板放电 特征 8 通道电平转换器(STV,RESET,6 × CLK) 高输出电压电平 16.5V 至 45V (V ...
(299)次阅读|(0)个评论
面向SiC MOSFET的MGD3160AM515EKR2高压栅极驱动器 ADSP-21489BSWZ-4B ADS7952SBDBTR PM8532B-F3EI 2025-08-30
MGD3160AM515EKR2是一种改进的、先进的单通道高压隔离栅驱动器,具有驱动和保护碳化硅(SiC)MOSFET以及功能安全的增强功能。以下是其主要特性: 高压隔离IGBT和 ...
(399)次阅读|(0)个评论
1 至 20 路 HCSL 扇出缓冲器ZL40294LDG6 A1104LLHLT ADSP-BF706KCPZ-4 400MHz BLACKFIN+嵌入式处理器资料 2025-08-19
ZL40294LDG6 属于高性能、超低抖动、低功耗的 1 至 20 路 HCSL 扇出缓冲器系列。ZL40294LDG6 完全符合 DB2000QL 标准。应用领域包括 PCI Express 1/2/3/4/5/6 ...
(224)次阅读|(0)个评论
详细资料 | 时钟缓冲器及发生器9ZXL0851AKLF 9ZXL0853EKILF 9FGV0841AKLF 9FGV0841AND ... 2025-08-01
1、9ZXL0851AKLF是一款低功耗8路输出差分缓冲器,符合Intel DB1200ZL规范的所有性能要求。它适合PCI-Express Gen1/2/3或QPI/UPI应用,并使用固定的外部反馈来保 ...
(419)次阅读|(0)个评论

查看更多

你需要登录后才可以留言 登录 | 注册


现在还没有留言

现在还没有好友

最近访客
关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条


手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-9-22 17:00 , Processed in 0.015901 second(s), 10 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
返回顶部