PMOS电容代替miller电容

semico_ljj · 发表于 2013-7-2 09:59:47

seeing

金小龟 · 发表于 2013-7-2 10:16:26

回复 19# jiang_shuguo

我需要差不多400M的带宽。再请教下，MOS 电容的容值在属性里看不见，是不是需要进行DC仿真之后在print下的DC operating points看。。
上面的尺寸不是实际电路的尺寸。可是我不理解主次极点颠倒，之前miller电容是用MIM电容的。60/30的尺寸。差不多1.7p..觉得尺寸大，才改成MOS电容。。

jiang_shuguo · 发表于 2013-7-2 11:23:41

建议你别用pmos电容，有native nmos可以用，没有就用mim电容。

金小龟 · 发表于 2013-7-2 13:36:07

回复 23# jiang_shuguo

可以简单介绍下，为什么么？谢谢了。

jiang_shuguo · 发表于 2013-7-2 13:40:15

回复 24# 金小龟

电容变化太大，

semico_ljj · 发表于 2013-7-2 14:23:41

PIP,MIM Cap

qiwentuo · 发表于 2013-7-3 21:05:34

1.不建议用pmos电容，确实变化太大（比nmos电容要大，看看器件可以知道），有可能你在没加大pmos管面积之前，工作在积累区，但加大面积后，有可能也会使栅电压变化（看你W/L是增大还是减小），这样有可能会进入亚阈值区域，这样电容可能还会减小，从而可能导致GB增大。纯属猜测。
2.在面积增大的情况下（Cc增大），大家都提到的两个极点位置反了怎么会导致GB增大？表示困惑？

qiwentuo · 发表于 2013-7-3 21:10:38

可能进入了耗尽区，最后如果解决了希望能把结果公布下。

yuwenjuan · 发表于 2018-8-1 19:48:34

回复 14# semico_ljj

请问一下关于传统电容的替代出了用MOS管漏极和源极相连这种方法，还有其他方法吗，就是我想减少版图面积，不用传统的电容，用其他的将传统电容替代

yuwenjuan · 发表于 2018-8-1 19:52:24

回复 25# jiang_shuguo

您好，有点问题想请教一下，请问可以加q吗？非常感谢哇，qq:326352827

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