版图设计中加了I/O后一直出现LUP错误，也加了guard ring，还是解决不了，该怎么办啊

qiutj23 · 发表于 2025-7-28 13:06:30

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实在不知道怎么改了，一般加电阻或者电源环地环就能解决了，可是现在加了保护环还是解决不了，不知道该怎么办了，求助各位大佬这种情况该怎么解决啊

sneaker华少 · 发表于 2025-7-29 10:05:04

qiutj23 发表于 2025-7-28 17:35
是必须200Ω的电阻吗，因为我之前加了50Ω的还是没有解决

具体加多少看工艺 tsmc的rule 上写着大于200欧姆并且要加上RES200的层要不然不识别（其他工艺上有大于300欧姆的）。你如果把50欧姆的电阻盖上RES200层也认为200欧姆但是属于骗自己。

qiutj23 · 发表于 2025-7-28 17:58:23

Skadoodle7 发表于 2025-7-28 17:48
首先你的双圈保护环必须是完整的环，不然多宽都是没有作用的
第二，200Ω的电阻是特定工艺下的规则，我不知 ...

您好，感谢您的回答，我的保护环是版图不同的部分都做了双圈保护环，我还想问一下就是最后整体core外面是不是也要加完整的双圈保护环啊

Skadoodle7 · 发表于 2025-7-28 17:48:53

首先你的双圈保护环必须是完整的环，不然多宽都是没有作用的
第二，200Ω的电阻是特定工艺下的规则，我不知道你用的是什么工艺，你可以问问电路

qiutj23 · 发表于 2025-7-28 17:35:07

炮灰酱发表于 2025-7-28 17:18
电阻还需要包上RES200，这层能骗过DRC的检查，所以有的特殊情况在和电路确认风险后可以加在小于200Ω的电阻 ...

是必须200Ω的电阻吗，因为我之前加了50Ω的还是没有解决

qiutj23 · 发表于 2025-7-28 17:34:12

aichilajiao 发表于 2025-7-28 17:05
加宽ring的作用不大，要么拉开距离解决DRC，要么加电阻后wave掉（加电阻有风险）如果时间和面积不允许的 ...

好的，谢谢你！

炮灰酱 · 发表于 2025-7-28 17:18:22

电阻还需要包上RES200，这层能骗过DRC的检查，所以有的特殊情况在和电路确认风险后可以加在小于200Ω的电阻上，但骗不过PERC

aichilajiao · 发表于 2025-7-28 17:05:07

qiutj23 发表于 2025-7-28 16:42
之前加了50欧姆的没什么用（是太小了吗），然后我们流片的时候是有面积限制的，我这个已经有点勉强了 ...

加宽ring的作用不大，要么拉开距离解决DRC，要么加电阻后wave掉（加电阻有风险）如果时间和面积不允许的话和你们负责人沟通，让他确认怎么改

qiutj23 · 发表于 2025-7-28 16:42:36

sneaker华少发表于 2025-7-28 16:27
最保险就是PAD和内部电路之间加200欧姆电阻（这个的问下设计可不可以加）或者按照DRC rule拉开（我觉得 ...

之前加了50欧姆的没什么用（是太小了吗），然后我们流片的时候是有面积限制的，我这个已经有点勉强了

而且来不及改了，至于ring，要加宽到多少啊，我觉得已经挺宽的了

sneaker华少 · 发表于 2025-7-28 16:27:08

qiutj23 发表于 2025-7-28 14:31
您好，请问这个高电阻层是什么意思，是指在PAD和core之间的连线中间加电阻吗 ...

最保险就是PAD和内部电路之间加200欧姆电阻（这个的问下设计可不可以加）或者按照DRC rule拉开（我觉得Pmos和nmos之间的OD距离是8也还好），要是这两种措施都不想用就把各自的ring加宽点连接充分点然后直接wave掉（wave的需要你们的负责人确认因为有风险）

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