一个mim电容做metal change，改哪一层的影响最小

icliupengzhi123 · 发表于 2024-2-4 15:44:47

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一个MIM电容，由 AT WT MCT A3这几层构成。如果要改其中一张mask，除了A3不能动，改动哪一张mask是对电路或者从可靠性来讲哪一层是最合适的呢

icliupengzhi123 · 发表于 2024-2-5 13:47:10

tea_whz 发表于 2024-2-5 13:31
大概明白你的处境了。。。。去掉不想要的电容上接到MCT的via吧，上下两层金属之间一个浮空的金属层，会留 ...

去掉via后，没有DRC问题，就是这种改法非常规，也没遇到过，就是担心浮空的那个MCT积累电荷啥的，也不知道有没有啥不可预知的一些现象。等老大决定吧。。

tea_whz · 发表于 2024-2-5 13:31:41

本帖最后由 tea_whz 于 2024-2-5 13:32 编辑

icliupengzhi123 发表于 2024-2-5 13:22
2个mim电容挨着放得很近，以前因为两个电容接法一样，顶层和次顶层都全覆盖，就没有DRC问题，现在其中有 ...

大概明白你的处境了。。。。去掉不想要的电容上接到MCT的via吧，上下两层金属之间一个浮空的金属层，会留有一些寄生电容，问题不大。也会因为收集电荷没有释放通路带来一点可靠性的问题，但是问题不大，而且毕竟可以解决你的问题了。但是这样做估计也会有DRC问题，需要你们自己跟foundry沟通了。

icliupengzhi123 · 发表于 2024-2-5 13:23:56

ZN0001 发表于 2024-2-5 11:56
把他断开不接不行嘛

断顶层不行，走线绕线，寄生电路接受不了。断底层也不行，有DRC问题。

icliupengzhi123 · 发表于 2024-2-5 13:22:45

tea_whz 发表于 2024-2-5 13:13
你修改的目的是什么呢？如果是不要这个电容，直接把上层金属断开不就可以了么？直接去掉MCT肯定是不行的 ...

2个mim电容挨着放得很近，以前因为两个电容接法一样，顶层和次顶层都全覆盖，就没有DRC问题，现在其中有个MIM电容需要短起来，或者不要。需要通过改一张mask然后实现目的。断顶层实现不了，顶层没有DRC问，但是走线要绕，带来的寄生电路是不想要的。断次顶层，又会有DRC问题。

tea_whz · 发表于 2024-2-5 13:13:24

icliupengzhi123 发表于 2024-2-5 10:55
结构是这样的，黄色部分是MCT，您的建议是去掉MCT这层mask么，去掉孔你感觉可以不
...

你修改的目的是什么呢？如果是不要这个电容，直接把上层金属断开不就可以了么？直接去掉MCT肯定是不行的，会短路。

ZN0001 · 发表于 2024-2-5 11:56:33

把他断开不接不行嘛

castrader · 发表于 2024-2-5 11:23:38

...................................
hehe
那就留着浮动metal吧

icliupengzhi123 · 发表于 2024-2-5 11:21:31

castrader 发表于 2024-2-5 11:16
你还不如直接把MCT这层去掉呢，这样电容就没了，也没啥太大问题。你留着这层相当于在里面加了个浮动极板， ...

有个问题 MCT没了但孔还在，孔在的话会把上极板和下级板连在一起，会短路。下级板必须要接地。不太行，

castrader · 发表于 2024-2-5 11:16:03

你还不如直接把MCT这层去掉呢，这样电容就没了，也没啥太大问题。你留着这层相当于在里面加了个浮动极板，没啥好处。

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