请教各位：为什么带隙用三极管不用二极管啊？

mekenny

这个问题好像有点。。呵呵，想不明白所以上来请教。

zengxi1213

回复 14# rfmdmenglb


    14楼说得对，实际PN结二极管的IV和n有关，而n和Vbe有关，而NPN的相连的PN结的n近似1，因此I_Vbe关系与n近似无关，才复合BG电路原理

rfmdmenglb

For diode, PTAT voltage difference from two different density diodes is sensitive to process spread.

For diode: Idiode=Is(exp(Vbe/n/(kt/q))-1) where n is non-ideal factor. n changes between 1 and 2 under different forward voltage Vbe.
For Bipolar: non-ideal factor n is very close to 1.

NEVER use diode in the voltage reference circuit if output accuracy requirement is high.

买履人

顶贴，有没有大神来说的更详细一点

fengluan

标准cmos工艺中只有pplus/nwell和nwell/psub两种diode。
这两种二极管一般用在ESD保护等反向偏置的条件下。
对于ppuls/nwell diode，如果正向导通，就存在到psub漏电的问题，所以bandgap中就用这种substrator pnp。 而 nwell/psub 的p段始终接地

needforspeed

学习了

guang3000

查了下书，在扎维535页里面提到在标准CMOS工艺里，正偏的PN结是个PNP管（衬底接地），会有电流流向衬底，结构实际和VPNP是一样的。不知道厂家建PN结的模型的时候是怎么考虑的。

大飞

看版图的话其实就是一个pn结吧

only123456

其实n-well工艺中二极管也就是一个三极管，你可以画个版图试试，因为p-sub时钟接地，所以你的pn结的p端只能做在n-well里

longgangtou

恩，应该是工艺问题。