请教各位：为什么带隙用三极管不用二极管啊？

mekenny · 发表于 2008-11-19 19:12:36

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这个问题好像有点。。呵呵，想不明白所以上来请教。

zhanweisu27 · 发表于 2008-11-19 20:20:48

有的。

tq01qaz · 发表于 2008-11-19 20:58:23

大概是三极管的集级可以连在一起,减小失配

ives · 发表于 2008-11-19 23:03:01

有点意思

三管能隙的第三个管不能是二极管吧？！如果另两个用二极管做，第三个管的BE结与二极管上的压降怎么算，因为第三个管的基极与阳极连在一起

还有一点，就是一般的能隙电路，基极连在一起，保证VBE1＋I＊R＝VBE2，这个一般是用来设置电流的。如果用二极管，不能保证他们的阳极电位是一样的。

个人猜测，仅供参考。

standup · 发表于 2008-11-23 21:09:22

应该是工艺自身的原因，diode在标准的cmos工艺中制造不是很方便，控制比较困难，而vpnp是标准工艺中的寄生器件，性能稳定。而且大多数工艺中，PNP比二极管有更好的温度特性，有更低的噪声

mcumcumcu · 发表于 2008-11-24 13:41:04

支持楼上的兄弟。

longgangtou · 发表于 2008-11-25 09:05:27

恩，应该是工艺问题。

only123456 · 发表于 2011-1-1 18:48:30

其实n-well工艺中二极管也就是一个三极管，你可以画个版图试试，因为p-sub时钟接地，所以你的pn结的p端只能做在n-well里

大飞 · 发表于 2011-1-2 10:57:05

看版图的话其实就是一个pn结吧

guang3000 · 发表于 2011-1-2 12:31:51

本帖最后由 guang3000 于 2011-1-2 12:32 编辑

查了下书，在扎维535页里面提到在标准CMOS工艺里，正偏的PN结是个PNP管（衬底接地），会有电流流向衬底，结构实际和VPNP是一样的。不知道厂家建PN结的模型的时候是怎么考虑的。

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