请问一下，做差分对跟电流镜时候，S/D合起来好，还是不合起来好，纠结

wjw131

请问一下，做差分对跟电流镜时候，S/D合起来好，还是不合起来好，纠结

白香

一般都要合的吧，abba形式。但之前看到过一个帖子（nmos没合并OD），电路那边考虑减小驱动电流Id，n管就没让合并。具体的要看电路要求。

이지은

看电路怎么想，以电路要求为准

存在感

1.先确定所用工艺节点对S/D合并后产生影响是否对电路性能精度有影响：
1）工艺影响：二级效应差异
2）S/D寄生电容影响差异
3）工艺symbol 定义与model 定义 finger 与M 的差异
2.差分对需求与电流镜需求的差异
  1）差分对是差模相减 ，环境及寄生影响一致或按一致比例 是否合并看面积需求
  2）电流镜 看匹配需求，<1>一般需求电流镜阵列是关于源头需要比例匹配 分开比匹配值是高于合并 ;<2> 如匹配要求是绝对值接近理想值同时保持比例匹配的情况下 合并且做交叉 且处理相关的二级效应后 匹配度比分开的要高。

综上应先弄清楚匹配主体 ，已经匹配目标选择合适方案，到达性能和面积都达标的目的。

存在感

白香 发表于 2024-8-23 14:23
一般都要合的吧，abba形式。但之前看到过一个帖子（nmos没合并OD），电路那边考虑减小驱动电流Id，n管就没 ...

差分对管 尽量避免做一维的 abba ，合并 在二级效应（lod wpe) 以及梯度差异 上很容易失配，分开也就是lod 有改善 其他的还是失配的。应做二维交叉共质心。

白香

存在感 发表于 2024-8-27 14:25
差分对管 尽量避免做一维的 abba ，合并 在二级效应（lod wpe) 以及梯度差异 上很容易失配，分开也就是lo ...

是的，我也画过nwell到有源区要over 10u才能相对消除wpe效应的工艺。
现在大多数的画法都是
DABBAD
DBAABD（D为dummy）

D可以减小lod的影响，如有多排的情况为减小wpe亦可以在上下加D。
至于ABBA还是ABAB其实跟工艺关系比较大，当然都要有dummy。梯度影响明显用ABBA，二级效应影响明显用ABAB。
理解有误还请大佬斧正。

存在感

白香 发表于 2024-8-27 15:03
是的，我也画过nwell到有源区要over 10u才能相对消除wpe效应的工艺。
现在大多数的画法都是
DABBAD

1 .多排 偶数排的可以不加gate 方向dummy
2.dummy 大小实际上影响well 边缘到有效器件沟道的距离，注意工艺需求的大小，10 um 有点夸张 注意变化曲线选择合适点。
3.  DABBAD    DAABBD  
     DBAABD    DBBAAD   
怎么选看是否合并以及合并后dummy 所接的是S 还是D 按一般 情况 接D 端影响是大于接S 端。
ABAB 这种适合做一维匹配，
二维 ABAB 不能合并
       BABA  

tea_whz

存在感 发表于 2024-8-27 15:20
1 .多排 偶数排的可以不加gate 方向dummy
2.dummy 大小实际上影响well 边缘到有效器件沟道的距离，注意工 ...

ABAB对于一维匹配也是不合适的，匹配的目的除了消除工艺带来的失配影响，更要消除芯片内部干扰带来的失配比如热效应又或者应力，ABAB方式当干扰源位于匹配器件一侧时失配率明显大于ABBA方式

白香

tea_whz 发表于 2024-8-27 17:17
ABAB对于一维匹配也是不合适的，匹配的目的除了消除工艺带来的失配影响，更要消除芯片内部干扰带来的失配 ...

学习

存在感

tea_whz 发表于 2024-8-27 17:17
ABAB对于一维匹配也是不合适的，匹配的目的除了消除工艺带来的失配影响，更要消除芯片内部干扰带来的失配 ...

1. 方法不能一刀切，需要先判断匹配的目标是什么，在什么工艺条件下实现，产品形态又是什么要求。
2. 先确定干扰源是啥？噪声？热源? 工艺制造相关应力?
3. 一般选择做一维差分对匹配 ，都是器件个数特别少（各两个） 或者是器件不多同时又布局形状约束。要不然不会去选一维的。
在这前提下面积分布小的情况下梯度差异的影响会显得没那么大，这个时候更应优先考虑所使用工艺的自身特性，如制造精度，又或者是二级效应等 引起的误差。