为什么在版图中PMOS管OD共用，NMOS管尽可能拆分，其性能会更好？

prince之风 · 发表于 2023-4-14 11:10:27

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前端说在版图中，把PMOS管进行OD合并,NMOS 管进行拆分，其性能会更好。具体原因是什么？求大神解答

944286346 · 发表于 2023-4-14 11:14:47

我感觉这种应该是具体情况具体分析，应该是电路的要求吧，坐等大佬
顺便问下楼主，OD 合并是什么意思

maomao198477 · 发表于 2023-4-14 11:16:19

直接问他，然后告诉我们答案

prince之风 · 发表于 2023-4-14 11:23:50

944286346 发表于 2023-4-14 11:14
我感觉这种应该是具体情况具体分析，应该是电路的要求吧，坐等大佬
顺便问下楼主，OD 合并是什么意思 ...

就是把PMOS源漏共用，使OD连成一长条，把多个fingers的NMOS拆分，使OD断成一段一段的那种

944286346 · 发表于 2023-4-14 11:38:04

prince之风发表于 2023-4-14 11:23
就是把PMOS源漏共用，使OD连成一长条，把多个fingers的NMOS拆分，使OD断成一段一段的那种
...

好的，我主要是没反应改过来OD这个名词，去查了下

OD 全称Gate Oxide and Diffusion;就是所谓的有源区，它包含两个部分，一部分是MOS管的源区和漏区，所谓的diffusion，还有就是沟道区，就是Gate Oxide下面的部分。当然了，为了确定有源区的导电类型，还要版图工艺层在外面加上PP或NP，分别代表P注入和N注入。
tips：OD表示oxide diffusion，tsmc是这种叫法。
其它foundry有叫ACT, AA等，都是指有源区。

你的问题就和楼上大佬说的，直接问电路更好，许多时候电路考虑的东西更多吧。

liuliuliu320 · 发表于 2023-4-14 15:13:49

难道是STI效应？？？

prince之风 · 发表于 2023-4-14 17:44:45

liuliuliu320 发表于 2023-4-14 15:13
难道是STI效应？？？

哦哦，应该是了，一语惊醒梦中人了属于是，哈哈哈。。。
STI效应影响管子的阈值电压Vth和驱动电流Id，而PMOS的Id随OD长度增大而减小，NMOS的Id随OD长度的增大而增大，（当然，OD长到一定程度后,Id
趋于饱和，开始保持不变）所以，PMOS管的OD共用、NMOS管的拆分，会在一定程度上降低管子的驱动电流，管子不需要那么高的电流就可以驱动工作了，电路的性能就变好了。

verweiledoch · 发表于 2023-4-17 10:37:34

prince之风发表于 2023-4-14 17:44
哦哦，应该是了，一语惊醒梦中人了属于是，哈哈哈。。。
STI效应影响管子的阈值电压Vth和驱动电流Id，而P ...

学到了

jsonli0201 · 发表于 2023-4-20 11:23:07

prince之风发表于 2023-4-14 17:44
哦哦，应该是了，一语惊醒梦中人了属于是，哈哈哈。。。
STI效应影响管子的阈值电压Vth和驱动电流Id，而P ...

学习了，谢谢

ncash0933 · 发表于 2023-4-20 15:48:15

学习了

[求助] 为什么在版图中PMOS管OD共用，NMOS管尽可能拆分，其性能会更好？

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