佬们，请教一个关于NDEMOS的S和B为啥要分离，并且用STI隔离的问题

xiaocainiao123

李幕白 发表于 2024-5-16 13:41
用STI隔离跟工艺下不同器件的特点没有什么关系，跟工艺制程有关系。

是的，在深亚微米（<0.25um）下，用的sti，在亚微米(>0.3um)用的是locos

tfjim

应用场景不一样
NLD类型的器件，一般会做为功率器件，也可以当作开关使用，所以其沟道长度相对小一些。当S与B，butting时，面积会比分开小很多。

DEMOS类型的器件，一般作为，高压转低压的，中间转换器，作为模拟器件使用，S端可以接到低压器件上，也可以与B短接接与gnd。一般根据应用场景不同而定。

xiaocainiao123

tfjim 发表于 2024-5-16 15:24
应用场景不一样
NLD类型的器件，一般会做为功率器件，也可以当作开关使用，所以其沟道长度相对小一些。当S ...

感谢您的回答，为我提供了新的思考方向。

tfjim

xiaocainiao123 发表于 2024-5-17 14:09
感谢您的回答，为我提供了新的思考方向。

不客气，这个论坛，还是不错的，许多人，乐意答疑解惑的

xiaocainiao123

tfjim 发表于 2024-5-17 14:15
不客气，这个论坛，还是不错的，许多人，乐意答疑解惑的

第一次发帖，已经感受到了