佬们，请教一个关于NDEMOS的S和B为啥要分离，并且用STI隔离的问题

xiaocainiao123

如题，在分析工艺的时候，发现LDMOS和DEMOS剖面图的差别是DEMOS的S和B是分开的，并且使用了STI来隔离。

想请教一下各位佬们，为啥在做DEMOS的时候，要把S和B分开呢？用STI来隔S和B，从物理结构或其他角度来考虑，是出于什么目的呢？
期待各位佬们的解答！谢谢

xiaocainiao123

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xiaocainiao123

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Kevin0147

应该是在电路设计的时候，有些情况下需要把S/B的电位分开。

芯片小兵

电位不同，不连在一起的情况下，就要分开。S和B端不是一定相同电位的，如果是不同电位，防止漏电就要分开。

xiaocainiao123

Kevin0147 发表于 2024-5-15 13:16
应该是在电路设计的时候，有些情况下需要把S/B的电位分开。

谢谢您的回答，
可以举例说一下是什么情况吗？

xiaocainiao123

芯片小兵 发表于 2024-5-15 13:49
电位不同，不连在一起的情况下，就要分开。S和B端不是一定相同电位的，如果是不同电位，防止漏电就要分开。 ...

谢谢您的回答，

根据您的回答，我有两个疑惑的地方。一是DEMOS为什么B和S要分开，或者LDMOS为什么B和S要短接；二是防止漏电是为了防止什么漏电呢？是P+N+反向漏电吗？
对于B和S用STI隔开的问题，我思考过可能一是为了防止形成P+N+结，有比较大的势垒电容；二是为了提高击穿电压（应该是齐纳击穿），不知道我的思考方向和结果是否正确。

Kevin0147

xiaocainiao123 发表于 2024-5-15 14:22
谢谢您的回答，

根据您的回答，我有两个疑惑的地方。一是DEMOS为什么B和S要分开，或者LDMOS为什么B和S要 ...

第一个地方。为什么一个分开一个不分开，因为工厂考虑到电路的使用情景，需要提供两种器件给电路挑选，所以如此。第二个地方，关于漏电是指当电路需要让S/B电位分开，但是提供的器件只有合并在一起，就直接短路了。为什么使用STI隔离，这和工艺制程相关，不仅仅是这里使用STI隔离，本工艺的所有有源区都是使用STI隔离的，亚微米是使用locos隔离工艺，深亚微米是使用浅槽隔离，具体你可以看看《集成电路制造工艺与工程应用》。

xiaocainiao123

Kevin0147 发表于 2024-5-15 16:41
第一个地方。为什么一个分开一个不分开，因为工厂考虑到电路的使用情景，需要提供两种器件给电路挑选，所 ...

看了您推荐的书，解答了我不少疑惑。我阐述一下我对漏电的理解，不对的地方还希望您能指正。
当P+与N+直接接触，并施加反压时，N+与P+和PBODY产生的两个耗尽区会直接相连。当栅压一定高时，感应出的沟道也会直接与耗尽区相连，而P+接的GND（假如），这条通路是一条相对低阻的通路，因此会有一定量的载流子往GND流，引起漏电。
再次感谢您的回答。

李幕白

用STI隔离跟工艺下不同器件的特点没有什么关系，跟工艺制程有关系。