向各位大神请教下DB工艺的问题

flyunicorn

                           各位大神请教下DB工艺的问题 1. GR dummy 层究竟有什么用？在 latch up相关规则中经常提到， guard ring 为什么一定要加这层啊？  2. NCAP 只有5V的模型cap_sdnwnp1_5p0v，那能不能在nmos 和 pmos都是6V的电路中使用啊？

                         谢谢各位大神啦！

powerboy711

1.GR dummy 标识层，方便做drc检查。2 既然5v的器件，原则上建议使用在5v电压以下；但通常器件耐压会留有余量，短期使用可以，长期使用可靠性有风险。